IS61WV2568EDBLL-10KLI是一款高速、低功耗的静态随机存取存储器(SRAM)芯片,由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造。该器件属于异步SRAM类别,具备256K x 8位的存储容量,适用于需要高速数据访问和低延迟的系统。其工作电压为2.3V至3.6V,适合多种应用场景,包括工业控制、通信设备和嵌入式系统。IS61WV2568EDBLL-10KLI采用48引脚TSOP封装,具有较高的可靠性和稳定性。
容量:256K x 8位
组织方式:256K地址 x 8位数据
电源电压:2.3V 至 3.6V
访问时间:10ns
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:48引脚TSOP
封装代码:DBLL
最大时钟频率:无(异步SRAM)
待机电流:典型值10mA
工作电流:典型值120mA
IS61WV2568EDBLL-10KLI SRAM芯片具有多项优异的电气和性能特性。首先,其10ns的访问时间确保了高速的数据读写能力,适用于对响应时间要求较高的系统设计。其次,该芯片支持宽电压范围供电(2.3V至3.6V),提高了其在不同电源条件下的兼容性。此外,该SRAM芯片具备低功耗特性,在待机模式下电流仅为10mA左右,有助于降低整体系统能耗。其工作温度范围覆盖-40°C至+85°C,满足工业级温度要求,确保在严苛环境下的稳定运行。封装采用48引脚TSOP形式,有助于减小PCB空间占用,提高系统集成度。
在可靠性方面,IS61WV2568EDBLL-10KLI采用了高质量的CMOS工艺制造,具备较强的抗干扰能力和稳定性,适用于高可靠性要求的工业控制、通信设备和嵌入式系统。此外,该芯片支持异步操作,无需外部时钟信号,简化了电路设计和时序控制。
IS61WV2568EDBLL-10KLI广泛应用于各种高性能嵌入式系统和工业控制设备中,例如网络路由器、交换机、打印机、数据采集系统、测试设备以及自动化控制系统。由于其高速访问能力和低功耗特性,也适用于便携式电子设备和电池供电系统。此外,它还常用于图像处理、音频处理和实时控制系统等需要快速数据缓存的场合。
IS61WV256816EDBLL-10KLI, CY62148E, AS7C32568C