N18FPVLV 时间：2025/7/22 13:17:00 阅读：12

N18FPVLV 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道功率MOSFET，广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的平面工艺技术，具有较低的导通电阻（RDS(on)）和较高的效率，适用于各种高功率需求的电子系统。其封装形式为D2PAK，具备良好的热性能和机械稳定性，适合工业级和汽车级应用。

参数

类型：N沟道
　　漏极电流（ID）：180A
　　漏极-源极电压（VDS）：30V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为4.3mΩ（在VGS=10V时）
　　功率耗散：250W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装：D2PAK

特性

N18FPVLV 的主要特性包括其极低的导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高系统效率。其高电流承载能力和低RDS(on)使其非常适合用于高功率密度设计。此外，该MOSFET具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在极端条件下保持稳定运行。该器件的栅极驱动电压范围较宽，可在不同的工作条件下提供灵活的控制。N18FPVLV 还具有良好的热稳定性，其D2PAK封装提供了优异的散热性能，适用于需要长时间高负载工作的应用场景。
　　在可靠性方面，N18FPVLV 具有较高的抗短路能力和过热保护特性，确保在复杂电气环境中保持稳定的性能。该MOSFET的快速开关特性使其适用于高频率开关电路，从而减少外部滤波器组件的尺寸和成本。此外，它还具备较低的栅极电荷（Qg），有助于降低开关损耗，提高整体系统的能效。这些特性共同使得N18FPVLV成为高性能功率转换系统的理想选择。