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N18FPVLV 发布时间 时间:2025/7/22 13:17:00 查看 阅读:10

N18FPVLV 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的N沟道功率MOSFET,广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的平面工艺技术,具有较低的导通电阻(RDS(on))和较高的效率,适用于各种高功率需求的电子系统。其封装形式为D2PAK,具备良好的热性能和机械稳定性,适合工业级和汽车级应用。

参数

类型:N沟道
  漏极电流(ID):180A
  漏极-源极电压(VDS):30V
  栅极-源极电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):最大值为4.3mΩ(在VGS=10V时)
  功率耗散:250W
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装:D2PAK

特性

N18FPVLV 的主要特性包括其极低的导通电阻,这有助于减少导通损耗并提高系统效率。其高电流承载能力和低RDS(on)使其非常适合用于高功率密度设计。此外,该MOSFET具有较高的雪崩能量耐受能力,能够在极端条件下保持稳定运行。该器件的栅极驱动电压范围较宽,可在不同的工作条件下提供灵活的控制。N18FPVLV 还具有良好的热稳定性,其D2PAK封装提供了优异的散热性能,适用于需要长时间高负载工作的应用场景。
  在可靠性方面,N18FPVLV 具有较高的抗短路能力和过热保护特性,确保在复杂电气环境中保持稳定的性能。该MOSFET的快速开关特性使其适用于高频率开关电路,从而减少外部滤波器组件的尺寸和成本。此外,它还具备较低的栅极电荷(Qg),有助于降低开关损耗,提高整体系统的能效。这些特性共同使得N18FPVLV成为高性能功率转换系统的理想选择。

应用

N18FPVLV 主要应用于电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池充电器以及汽车电子系统等高功率需求的场合。由于其优异的热性能和高电流能力,该器件特别适合用于需要高可靠性和高效率的工业和汽车应用。

替代型号

N18F30NLDG、SiR862DP、FDP180N30BL

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