时间：2025/9/14 13:53:43
阅读：25
BF820,235 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件广泛用于电源管理和开关应用，具有高效率、低导通电阻和良好的热稳定性。BF820,235 采用小型化的 SOT23 封装，适合空间受限的电路设计。该 MOSFET 的最大漏极电流可达 100mA，支持较高的工作电压，适用于低功耗开关和信号控制电路。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电压（VDSS）：100V
最大漏极电流（ID）：100mA
导通电阻（RDS(on)）：1.8Ω @ VGS=10V
栅极阈值电压（VGS(th)）：1V~2.5V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：SOT23
最大功耗（Ptot）：300mW
BF820,235 具有以下几个显著的性能特点：
首先，该器件的导通电阻较低，在 VGS=10V 时 RDS(on) 典型值为 1.8Ω，有助于降低导通损耗，提高能效。其次，该 MOSFET 支持高达 100V 的漏极电压，适用于中高压开关控制应用。此外，其栅极阈值电压范围为 1V~2.5V，兼容多种逻辑电平控制电路，便于与微控制器或数字电路配合使用。
BF820,235 采用 SOT23 小型封装，适用于高密度 PCB 布局，同时具备良好的散热性能。该器件的热阻（Rth(j-a)）典型值为 400K/W，能够在高温环境下稳定运行。其最大功耗为 300mW，支持在有限的功耗预算下实现高效能操作。
该 MOSFET还具备优异的抗静电能力（ESD），增强了在复杂电磁环境中的可靠性。其封装材料符合 RoHS 标准，适用于环保型电子产品制造。
BF820,235 主要应用于低功耗电源开关、LED 驱动控制、逻辑电平转换、继电器驱动和传感器信号控制等场景。例如，在 LED 照明系统中，它可用于实现 PWM 调光控制，提供高效稳定的电流开关功能。在工业控制设备中，BF820,235 可作为小型继电器或开关元件，实现对负载的远程控制。由于其体积小巧，也广泛用于手持设备、智能家居控制器和物联网设备中。
在通信设备中，该器件可用于电源管理电路中的开关控制，提高电源转换效率。在消费类电子产品中，如智能音箱、智能门锁和智能照明系统中，BF820,235 可作为关键的功率开关元件，实现节能控制。
2N7002, BSS138, 2N7000
