时间：2025/6/27 9:59:30
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CGA5H2NP02A682J115AA 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他需要高效功率转换的场景。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，从而提高了整体系统效率并降低了功耗。
此型号属于沟道增强型 MOSFET，其设计旨在优化高频应用中的性能表现。
类型：N-Channel MOSFET
额定电压(Vds)：60V
额定电流(Id)：150A
导通电阻(Rds(on))：1.4mΩ
栅极电荷(Qg)：75nC
最大工作温度范围：-55°C to +175°C
封装形式：D2PAK(TO-263)
漏源击穿电压：60V
连续漏极电流：150A
CGA5H2NP02A682J115AA 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可以有效减少功率损耗，提高系统效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用场景，同时降低开关损耗。
3. 高度可靠的热稳定性，能够在极端温度范围内正常运行。
4. 小巧的封装设计有助于节省 PCB 空间，并支持高密度布局。
5. 提供了良好的电气隔离性能，减少了电磁干扰问题的发生几率。
6. 支持大电流操作，适用于多种高功率应用环境。
该型号广泛用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)，如笔记本电脑适配器、显示器电源等。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
3. 太阳能逆变器以及工业自动化设备中的功率调节模块。
4. 电动车及混合动力车的电池管理系统与电机控制器。
5. LED 驱动器和其他需要高效功率转换的场合。
CGA5H2NP02A682J115AB, CGA5H2NP02A682J115AC
