HM514260ALJ7是一款由Hynix(现为SK Hynix)制造的动态随机存取存储器(DRAM)芯片。这款芯片设计用于需要高性能和高存储密度的应用场景,如个人计算机、服务器和嵌入式系统。HM514260ALJ7的容量为256K x 16位,工作电压为5V,支持快速页模式访问,具备较高的数据读写速度。
容量:256K x 16位
电压:5V
访问时间:55ns
封装类型:50引脚TSOP
工作温度范围:0°C至70°C
数据保持电压:2V
输入电容:5pF(最大)
输出驱动能力:±8mA
HM514260ALJ7具有快速的访问时间(55ns),适用于需要快速数据处理的系统。该芯片采用50引脚TSOP封装,具有良好的散热性能和空间利用率。
其工作电压为5V,符合当时主流的DRAM电压标准,能够与多种系统设计兼容。芯片支持快速页模式操作,提高了数据读写效率。
此外,HM514260ALJ7具备低输入电容(最大5pF),有助于减少信号干扰,提高系统的稳定性。输出驱动能力为±8mA,能够有效驱动外围电路。
该芯片的工作温度范围为0°C至70°C,适用于一般工业环境中的应用。数据保持电压为2V,能够在低功耗状态下保持数据完整性。
HM514260ALJ7广泛应用于需要中等容量DRAM的设备中,如个人计算机、嵌入式控制系统、工业自动化设备和通信设备。由于其快速的访问时间和良好的稳定性,该芯片也常用于需要高频数据处理的场景,如图像处理和实时控制系统。
在计算机系统中,HM514260ALJ7可用于扩展内存,提升系统运行效率。在嵌入式系统中,该芯片可以作为主存储器或缓存,支持复杂的程序运行和数据存储需求。
此外,HM514260ALJ7还可用于老旧设备的维护和升级,确保系统在长期运行中的稳定性和可靠性。
IS61LV25616-55B