时间：2025/5/22 20:57:08
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GA1206A4R7CXABP31G是一款高性能的表面贴装陶瓷电容器，采用多层陶瓷技术制造。该型号属于X7R介质材料系列，具有优良的温度稳定性和频率特性，适用于多种高频电路应用。
该电容器的主要功能是在电路中提供滤波、耦合、去耦和旁路等功能。其出色的电气性能和可靠性使其成为通信设备、消费类电子产品以及工业控制等领域的理想选择。
容量：0.47μF
额定电压：63V
封装类型：1206
介质材料：X7R
公差：±10%
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
尺寸：3.2mm x 1.6mm
ESR(等效串联电阻)：≤0.1Ω
DF(耗散因数)：≤2.5%
GA1206A4R7CXABP31G采用了先进的多层陶瓷工艺，确保了产品具有较小的体积和高可靠性。其X7R介质材料在宽温度范围内表现出稳定的电容值变化特性，温漂较小。
此外，该电容器还具备低ESR（等效串联电阻）和低DF（耗散因数），有助于降低发热并提高系统效率。
该型号支持无铅焊接工艺，并符合RoHS环保标准，适合现代电子产品的绿色制造需求。
由于其出色的电气特性和机械稳定性，GA1206A4R7CXABP31G可以满足各种严苛环境下的使用要求，包括高温、高湿或高频振动条件。
GA1206A4R7CXABP31G广泛应用于需要高性能滤波和去耦的场合。具体应用领域包括：
- 开关电源中的输入/输出滤波
- 音频放大器中的耦合和旁路
- 射频电路中的信号处理
- 微处理器和其他数字电路的电源去耦
- 工业自动化设备中的噪声抑制
此外，该电容器还可用于汽车电子、家用电器及通信基站等相关产品中。
Kemet C1206X7R1H474M
Taiyo Yuden VMK31C474KBR-T
Murata GRM31CR71E474KA01D
