时间：2025/9/15 1:48:23
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PSMN4R3-30PL是一款由Nexperia（安世半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电池供电设备等场合。该器件采用Trench MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流能力，能够在高效率和低功耗条件下运行。该MOSFET封装在LFPAK56（Power-SO8）封装中，具备优异的热性能和机械稳定性，适合高密度和高可靠性应用。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）@25°C：160A
导通电阻（Rds(on)）@4.5V：4.3mΩ
导通电阻（Rds(on)）@2.5V：5.3mΩ
功耗（Ptot）：120W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装：LFPAK56（也称为Power-SO8）
PSMN4R3-30PL具备多项先进的性能特性，使其在功率MOSFET市场中具有竞争力。其采用的Trench MOSFET技术显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。该器件的Rds(on)在Vgs=4.5V时仅为4.3mΩ，即使在Vgs=2.5V下也能保持较低的5.3mΩ，支持低电压栅极驱动应用，适用于现代低功耗控制器直接驱动。
此外，PSMN4R3-30PL采用了LFPAK56封装，该封装具有优异的热传导性能，可有效降低热阻，提高器件在高电流条件下的稳定性。与传统封装相比，LFPAK56具有更高的机械强度和更小的PCB占位面积，非常适合高密度设计。
该MOSFET还具备良好的雪崩能量耐受能力，能够在极端工作条件下提供更高的可靠性。其高电流承载能力和低导通损耗，使其适用于高效率电源转换应用，如同步整流、DC-DC转换器、负载开关和马达控制电路。
PSMN4R3-30PL适用于多种高性能功率电子系统，包括但不限于：
? 同步整流DC-DC转换器
? 电池管理系统（BMS）
? 服务器和通信设备电源
? 负载开关和热插拔电路
? 高电流马达控制和驱动电路
? 汽车电子中的电源管理模块
? 工业自动化和电源分配系统
IPB013N04NG | SiSS20DN | BSC090N03MS | PSMN2R8-30PL
