时间：2025/5/28 11:30:16
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SI2312CDS 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用小型的 SOT-23 封装，适用于各种需要高效开关和低功耗的应用场景。其出色的 Rds(on) 特性和较低的栅极电荷使得它成为便携式设备、负载开关以及同步整流应用的理想选择。
该型号中的后缀 -T1-GE3 表示 Vishay 的标准工业级封装和测试标准，确保了高一致性和可靠性。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：2.4A
导通电阻（Rds(on)）：95mΩ（典型值，在 Vgs=4.5V 下测量）
栅极电荷：7nC（典型值）
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：SOT-23
SI2312CDS 具有以下主要特性：
1. 高效的开关性能，适合高频应用。
2. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少功率损耗。
3. 小巧的 SOT-23 封装节省了电路板空间，非常适合空间受限的设计。
4. 低栅极电荷设计，进一步提升了开关效率。
5. 宽温度范围适应性使其能够在严苛环境下可靠运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代电子产品的合规要求。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 手机和其他便携式设备中的负载开关。
2. 同步整流电路。
3. 电池供电系统的保护电路。
4. DC/DC 转换器中的功率开关。
5. 各类消费类电子产品中的信号切换与功率管理。
由于其高效的特性和紧凑的封装形式，SI2312CDS 成为许多小尺寸、高性能设计的首选器件。
SI2301DS, BSS138
