时间：2025/8/14 20:07:34
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BAS20W_R1_00001 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效、低功耗功率管理的场合。该器件采用了先进的沟槽栅技术，具备较低的导通电阻（RDS(on)），从而减少导通损耗并提高系统效率。BAS20W_R1_00001 封装为小型表面贴装封装，适合高密度电路板设计，常用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电池供电设备中。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：20V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：4.8A
导通电阻 RDS(on)（最大值）：26mΩ @ VGS = 4.5V
功率耗散（PD）：3.1W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOP（表面贴装）
引脚数：8
技术：沟槽栅工艺
BAS20W_R1_00001 的核心优势在于其低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，这使其在功率转换应用中表现出色。该器件采用沟槽栅结构，显著降低了导通损耗，从而提高了整体能效。此外，其小型 SOP 封装设计不仅节省了 PCB 空间，还便于自动化生产与组装。该 MOSFET 支持高达 4.8A 的连续漏极电流，适用于中高功率应用。由于其栅极驱动电压较低（4.5V 即可实现完全导通），因此可与多种控制器或驱动 IC 兼容，简化电路设计。BAS20W_R1_00001 的高耐温性能也确保了其在高温环境下的稳定运行。
此外，该器件具有良好的热稳定性和短路耐受能力，能够承受一定程度的瞬态过载，从而提升系统的可靠性。其低栅极电荷（Qg）和漏源电荷（Qds）也有助于降低开关损耗，提高高频开关应用的效率。这些特性使得 BAS20W_R1_00001 成为电源管理、电机控制、LED 照明驱动以及便携式电子产品中理想的功率开关元件。
BAS20W_R1_00001 广泛应用于多个领域，包括但不限于：电源管理系统中的负载开关控制、DC-DC 升压/降压转换器、同步整流器、电池充电管理电路、马达驱动模块、LED 驱动器、工业自动化设备、手持设备电源管理以及各类低电压高效率功率转换系统。其高效的性能和小型化封装特别适合对空间和能效有严格要求的设计。
Si2302DS, AO3400A, FDS6675, IPB018N04NG
