时间：2025/5/10 16:21:28
阅读：12
AON6792是由Alpha & Omega Semiconductor（万代半导体）推出的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用超小型DFN1010-4封装，适用于空间受限的应用场合。AON6792以其低导通电阻和快速开关特性而著称，非常适合用于便携式设备、电源管理模块以及消费类电子产品中的负载开关和同步整流等应用。
AON6792的低导通电阻（Rds(on)）使其在高效率功率转换场景中表现出色，同时其极低的栅极电荷也优化了开关性能，降低了开关损耗。此外，其工作电压范围为20V，可满足多种电路设计需求。
最大漏源电压：20V
连续漏极电流：5.2A
导通电阻（Rds(on)）：8mΩ @ Vgs=4.5V
栅极电荷：3.8nC
总电容（Ciss）：24pF
开关速度：非常快
封装形式：DFN1010-4
AON6792具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高整体效率。
2. 小尺寸DFN1010-4封装，适合空间有限的设计。
3. 快速开关能力，能够有效降低开关损耗。
4. 稳定的工作温度范围（-55°C至+150°C），适应各种严苛环境。
5. 符合RoHS标准，环保且支持无铅焊接工艺。
6. 内置ESD保护功能，增强了器件的可靠性。
AON6792广泛应用于以下领域：
1. 消费类电子产品的负载开关，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑。
2. 同步整流器，在DC-DC转换器中提供高效功率转换。
3. 电池供电设备中的电源管理模块。
4. 通信设备中的信号切换与保护。
5. 便携式医疗设备和其他对体积和功耗敏感的应用。
6. LED驱动器和小型电机控制。
AON6790, AON6791, AON6793
