EP600IDI-55 是一款由 EPC(Efficient Power Conversion)公司生产的氮化镓场效应晶体管 (GaN FET),该器件采用 eGaN 技术,适用于高效能电源转换应用。EP600IDI-55 是一款单通道的增强型 GaN 晶体管,其设计旨在替代传统硅基 MOSFET 以实现更高的开关速度、更高的效率和更小的系统尺寸。该器件采用 5x6mm 的小型封装,适用于工业、消费电子、汽车和通信等领域的高性能功率转换器。
类型:氮化镓场效应晶体管 (GaN FET)
封装:5x6mm
最大漏极电流 (Id):60A
最大漏源电压 (Vds):100V
导通电阻 (Rds(on)):典型值 3.8mΩ
栅极电荷 (Qg):典型值 7.5nC
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
功率耗散:依据散热条件而定
开关频率:支持 MHz 级高频操作
EP600IDI-55 采用先进的 eGaN 技术,具备优异的导通和开关性能。其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通损耗,而低栅极电荷(Qg)则减少了开关过程中的能量损失。这使得该器件非常适合用于高效率的 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器和无线充电系统等应用。
此外,EP600IDI-55 具有较高的热稳定性和可靠性,能够在高温环境下稳定运行。其小型化封装设计也有助于提高 PCB 布局的灵活性,并减少整体系统的体积和重量。由于 GaN 器件固有的高频特性,该晶体管能够支持更高的开关频率,从而减小磁性元件的尺寸并提高系统的整体功率密度。
该器件还具有较低的输出电容(Coss),从而减少了在高频应用中的开关损耗。同时,其快速的开关速度能够有效提升系统效率,尤其是在软开关拓扑结构(如 LLC 或 ZVS)中表现尤为突出。EP600IDI-55 还具备良好的抗短路能力,增强了器件在恶劣工作环境中的可靠性。
EP600IDI-55 常用于高频 DC-DC 转换器、隔离式和非隔离式电源模块、同步整流器、电机驱动器、无线充电系统、车载电源系统以及通信基础设施中的高效功率转换电路。此外,该器件也适用于需要高功率密度和高效率的工业自动化、消费电子及新能源系统。
EPC2053, EPC2055, EPC2059