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BFP81E7764 发布时间 时间:2025/5/28 17:51:27 查看 阅读:9

BFP81E7764是一种高性能的双极性晶体管(BJT),广泛应用于射频和微波电路中。该器件采用了先进的硅锗(SiGe)工艺制造,具有卓越的高频性能和低噪声特性,适用于无线通信、雷达系统和其他高频应用。其设计旨在提供高增益和宽频率范围,同时保持良好的稳定性和可靠性。
  由于其出色的电气性能,BFP81E7764在需要高速开关和信号放大的场景中表现出色,尤其是在小信号放大器、混频器和振荡器等电路中。

参数

集电极-发射极击穿电压:20V
  集电极最大电流:20mA
  直流电流增益(hFE):350
  过渡频率(fT):12GHz
  噪声系数:1.1dB
  工作温度范围:-55℃至+150℃
  封装形式:SOT-363

特性

BFP81E7764的主要特性包括:
  1. 高频性能:该器件具有高达12GHz的过渡频率,使其适合于高频和射频应用。
  2. 低噪声:噪声系数仅为1.1dB,确保在高频应用中能够实现低失真的信号放大。
  3. 小型化封装:采用SOT-363封装,有助于节省电路板空间,并便于表面贴装。
  4. 稳定性:即使在极端温度条件下,也能保持稳定的电气性能。
  5. 高增益:直流电流增益为350,可有效放大微弱信号。
  这些特性共同使得BFP81E7764成为射频和微波应用中的理想选择。

应用

BFP81E7764适用于以下应用领域:
  1. 射频和微波通信设备:
   - 基站收发信机
   - 射频前端模块
  2. 无线通信:
   - 蓝牙模块
   - Wi-Fi芯片组
  3. 雷达系统:
   - 汽车防撞雷达
   - 工业检测雷达
  4. 测试与测量设备:
   - 频谱分析仪
   - 网络分析仪
  由于其高频性能和低噪声特点,BFP81E7764在需要精确信号处理的应用中表现优异。

替代型号

BFP840, BFP81E7750

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