BFP81E7764是一种高性能的双极性晶体管(BJT),广泛应用于射频和微波电路中。该器件采用了先进的硅锗(SiGe)工艺制造,具有卓越的高频性能和低噪声特性,适用于无线通信、雷达系统和其他高频应用。其设计旨在提供高增益和宽频率范围,同时保持良好的稳定性和可靠性。
由于其出色的电气性能,BFP81E7764在需要高速开关和信号放大的场景中表现出色,尤其是在小信号放大器、混频器和振荡器等电路中。
集电极-发射极击穿电压:20V
集电极最大电流:20mA
直流电流增益(hFE):350
过渡频率(fT):12GHz
噪声系数:1.1dB
工作温度范围:-55℃至+150℃
封装形式:SOT-363
BFP81E7764的主要特性包括:
1. 高频性能:该器件具有高达12GHz的过渡频率,使其适合于高频和射频应用。
2. 低噪声:噪声系数仅为1.1dB,确保在高频应用中能够实现低失真的信号放大。
3. 小型化封装:采用SOT-363封装,有助于节省电路板空间,并便于表面贴装。
4. 稳定性:即使在极端温度条件下,也能保持稳定的电气性能。
5. 高增益:直流电流增益为350,可有效放大微弱信号。
这些特性共同使得BFP81E7764成为射频和微波应用中的理想选择。
BFP81E7764适用于以下应用领域:
1. 射频和微波通信设备:
- 基站收发信机
- 射频前端模块
2. 无线通信:
- 蓝牙模块
- Wi-Fi芯片组
3. 雷达系统:
- 汽车防撞雷达
- 工业检测雷达
4. 测试与测量设备:
- 频谱分析仪
- 网络分析仪
由于其高频性能和低噪声特点,BFP81E7764在需要精确信号处理的应用中表现优异。
BFP840, BFP81E7750