时间：2025/5/15 13:05:14
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SI9434DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用 SO-8 封装形式，适用于高频开关应用和负载切换等场景。其低导通电阻特性使其成为功率管理电路的理想选择。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：4.2A
导通电阻：5mΩ
总栅极电荷：7nC
开关频率：高达 1MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
SI9434DY-T1-GE3 具有非常低的导通电阻（5mΩ），这有助于减少功率损耗并提高效率。此外，它还具有快速的开关速度，适合高频应用。该器件具备出色的热稳定性和可靠性，在高温环境下也能保持良好的性能。
其封装设计支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产。同时，SO-8 封装提供了良好的散热性能，适合中高功率应用。
该 MOSFET 广泛应用于 DC-DC 转换器、同步整流电路、电机驱动、负载开关以及电池管理系统等领域。其高频特性和低导通电阻使其特别适合便携式电子设备中的电源管理单元。
此外，由于其宽广的工作温度范围，SI9434DY-T1-GE3 也适用于汽车电子、工业控制以及其他需要在极端环境下工作的应用。
SI9435DY, IRF7409TRPBF, FDS6680
