时间：2025/9/14 11:52:04
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PSMN3R4-30BLE,118 是恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的一款高性能、低电压、双N沟道增强型功率MOSFET器件。该器件采用了先进的TrenchMOS技术，具有低导通电阻、高功率密度和优异的热性能，适用于多种高效率功率转换应用。该器件采用无铅封装，符合RoHS标准，适用于环保和高可靠性要求的应用场景。
类型：双N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±12V
连续漏极电流(Id)：10A
导通电阻(Rds(on))：3.4mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：LFPAK56（Power-SO8）
功率耗散(Pd)：47W
引脚数：8
PSMN3R4-30BLE,118 具有多个关键特性，使其适用于高性能电源管理应用。首先，其导通电阻仅为3.4mΩ，在10A电流条件下，可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件采用了LFPAK56封装技术，具有优异的热管理性能，能够有效降低结温，提升器件的可靠性与寿命。此外，该器件的栅极驱动电压范围为±12V，适用于多种栅极驱动器设计，并具备良好的抗过载能力。
其双N沟道结构设计允许在同步整流、DC-DC转换器、负载开关等应用中实现高效的双向功率控制。同时，TrenchMOS工艺提升了器件的跨导和开关速度，降低了开关损耗，适用于高频操作环境。该器件还具有低漏电流和优异的抗静电性能，确保在复杂电磁环境中的稳定运行。
在封装方面，LFPAK56是一种无引脚、双侧散热的表面贴装封装形式，能够实现更高的电流密度和更低的热阻，适用于自动化装配和高密度PCB布局。该器件的无铅设计符合现代电子制造对环保的要求。
PSMN3R4-30BLE,118 广泛应用于多个高性能功率电子系统中，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流模块、负载开关、电源管理单元（PMU）、电动工具、电池管理系统（BMS）、服务器电源和工业自动化设备。其优异的导通和开关性能使其成为高效率、高频电源转换电路中的理想选择。
在服务器和通信设备中，该器件可用于实现高密度、高效率的电源模块，提升整体系统的能效和可靠性。在电池供电设备中，如电动工具、便携式储能设备等，该器件可有效降低能量损耗，延长电池续航时间。此外，其在同步整流电路中的应用也显著提升了AC-DC转换器的效率。
在电机控制和工业自动化领域，该器件可用于实现高性能的功率开关电路，满足快速开关和高负载能力的需求。在汽车电子中，该器件可用于车载充电器、DC-DC转换器等系统中，支持高可靠性和高效率的电力传输。
PSMN2R8-30YLE,118; PSMN4R2-30PL,118; BSC010N03MS,115; BSC016N03MS,115
