您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > D10040180GTHS1

D10040180GTHS1 发布时间 时间:2025/8/15 13:16:46 查看 阅读:11

D10040180GTHS1 是一个特定型号的电子元器件,通常用于高性能的电力电子转换系统,例如电源供应器、逆变器和变频器等。这个器件属于功率MOSFET类别,具备高电压和大电流的处理能力,适合用于高效率和高频率的开关应用。D10040180GTHS1的设计目标是提供优异的导通和开关性能,同时保持较低的导通电阻和较高的热稳定性,以确保长期的可靠性和稳定性。

参数

类型:功率MOSFET
  最大漏源电压(Vds):100V
  最大漏极电流(Id):40A
  导通电阻(Rds(on)):18mΩ
  最大功率耗散(Pd):180W
  工作温度范围:-55°C 至 175°C
  封装类型:TO-247

特性

D10040180GTHS1功率MOSFET具有多个关键特性,使其适用于各种高要求的应用场景。首先,其低导通电阻(Rds(on))仅为18mΩ,有助于降低导通损耗,提高系统的整体效率。这在高电流应用中尤其重要,因为它可以减少由于电阻导致的功率损失和热量产生。此外,该器件的最大漏极电流额定值为40A,使其能够处理较大的负载电流,适用于需要高电流能力的电源和功率转换器应用。
  该器件的高最大漏源电压(100V)允许其在较高电压环境下稳定工作,适用于多种直流和交流功率转换系统。同时,其高功率耗散能力(180W)确保了在高负载条件下也能保持良好的热管理性能,从而延长了器件的使用寿命并提高了可靠性。
  另一个重要的特性是其宽工作温度范围(-55°C至175°C),使其能够在极端温度环境下正常工作,无论是高温的工业环境还是低温的户外应用,D10040180GTHS1都能保持稳定的工作状态。此外,该器件采用TO-247封装,这种封装形式不仅提供了良好的散热性能,还具有较高的机械强度和电气隔离能力,适用于高功率密度设计。
  最后,D10040180GTHS1的开关特性也非常出色,具备快速开关能力和低栅极电荷(Qg),能够有效减少开关过程中的能量损耗,提升系统的开关频率和响应速度。这对于高频电源转换器和高效能电机控制电路尤为重要。综上所述,D10040180GTHS1是一款性能优异、可靠性高的功率MOSFET,适用于各种高性能功率电子系统。

应用

D10040180GTHS1功率MOSFET广泛应用于多个高功率电子系统,包括但不限于:高性能电源供应器(如服务器电源、工业电源)、DC-DC转换器、AC-DC整流器、电机驱动器、逆变器(如太阳能逆变器、UPS不间断电源)、电池管理系统(BMS)以及电动汽车充电设备。其高电流处理能力和低导通电阻使其成为高效能电源转换和电机控制的理想选择。此外,由于其优异的热稳定性和宽温度工作范围,D10040180GTHS1也适用于高温或低温极端环境下的工业控制设备和自动化系统。

替代型号

SiHF40N100DD-GE3, FDPF40N100DN, IXFH40N100P

D10040180GTHS1推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价