时间：2025/7/10 14:41:42
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GCQ1555C1H5R7BB01D 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等场景。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效降低功耗并提高系统效率。
该芯片属于 N 沟道增强型 MOSFET，其设计优化了栅极电荷和开关性能，在高频应用中表现出色。此外，其坚固耐用的封装形式使其能够适应各种严苛的工作环境。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：12A
导通电阻：5.7mΩ
栅极电荷：38nC
总电容：1450pF
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著减少传导损耗。
2. 高击穿电压能力，适用于高压应用场景。
3. 快速开关特性，适合高频功率转换。
4. 优秀的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。
5. 小型化封装设计，便于在紧凑型电路板上使用。
6. 高可靠性，经过严格的质量控制测试。
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