您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > NSTB60BDW1T1G

NSTB60BDW1T1G 发布时间 时间:2023/4/10 11:07:57 查看 阅读:706

数字晶体管

目录

概述

制造商:ON Semiconductor

产品种类:数字晶体管

配置:Dual

晶体管极性:NPN

典型输入电阻器:22 KOhm

典型电阻器比率:2.13

封装 / 箱体:SOT-363

直流电流增益 hFE 最小值:80 @ 5mA @ 10V @ NPN

集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V

集电极连续电流:- 150 mAdc

峰值直流集电极电流:150 mA

功率耗散:256 mW

最大工作温度:+ 150℃

封装:Reel

最小工作温度:- 55℃

安装风格:SMD/SMT

资料

厂商
ON Semiconductor

NSTB60BDW1T1G推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

NSTB60BDW1T1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型1 NPN 预偏压式,1 PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)150mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)22k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)47k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)80 @ 5mA,10V / 120 @ 5mA,10V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)250mV @ 5mA,10mA / 500mV @ 5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换140MHz
  • 功率 - 最大250mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装SC-88
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NSTB60BDW1T1GOSNSTB60BDW1T1GOS-NDNSTB60BDW1T1GOSTR