时间：2025/5/16 11:59:34
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FMP11N是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及负载切换等领域。该器件具有低导通电阻和高电流处理能力，能够在高频开关应用中提供高效的性能。
这款MOSFET采用了先进的制造工艺，使其在开关速度和热性能方面表现优异，同时具备良好的耐用性和可靠性。
型号：FMP11N
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(V_DS)：60V
最大栅源电压(V_GS)：±20V
持续漏极电流(I_D)：35A
导通电阻(R_DS(on))：4mΩ（典型值，V_GS=10V）
功耗(PD)：180W
结温范围(T_J)：-55℃至+175℃
封装形式：TO-220
工作频率：高达1MHz
FMP11N的主要特点是其低导通电阻，这使得它在高电流应用中能够显著降低功耗并提高效率。
此外，该器件还具有快速的开关速度，从而减少了开关损耗，非常适合高频开关应用。
FMP11N还具备出色的热稳定性和抗浪涌能力，能够在恶劣的工作条件下保持可靠的性能。
其紧凑的封装设计也便于在空间受限的应用场景中使用。
FMP11N适用于多种电力电子应用领域，包括但不限于以下方面：
- 开关电源(SMPS)
- DC-DC转换器
- 电机驱动与控制
- 负载切换电路
- 电池保护系统
- 工业自动化设备
由于其高效率和可靠性，FMP11N是许多高性能电力电子系统的理想选择。
FDP11N60,
IRFZ44N,
STP36NF06
