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GA1206A222KBABT31G 发布时间 时间:2025/6/6 12:06:08 查看 阅读:3

GA1206A222KBABT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等领域。该芯片采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效降低系统能耗并提高效率。
  该器件具有增强型设计,可承受较高的电压和电流负载,同时支持高频操作,广泛适用于工业控制、消费电子及通信设备中的各种功率转换场景。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  封装形式:TO-252/DPAK
  最大漏源极电压Vds:60V
  最大栅源极电压Vgs:±20V
  最大漏极电流Id:40A
  导通电阻Rds(on):2.5mΩ(典型值,Vgs=10V时)
  总功耗Ptot:73W
  工作结温范围Tj:-55℃ to +175℃
  栅极电荷Qg:38nC(典型值)

特性

GA1206A222KBABT31G 的显著特点包括:
  1. 极低的导通电阻,可显著减少传导损耗,提升整体系统效率。
  2. 高速开关性能,适合高频应用场合,减少开关损耗。
  3. 优秀的热稳定性,确保在高温环境下的可靠运行。
  4. 强大的电流承载能力,满足大功率应用场景的需求。
  5. 内置反向恢复二极管,优化同步整流电路设计。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代化电子产品中。

应用

该芯片适用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率级管理。
  2. 电机驱动器中的逆变器模块。
  3. 各种 DC-DC 转换器的设计。
  4. 工业自动化设备中的功率控制。
  5. 消费类电子产品的电池充电管理。
  6. 通信电源和新能源汽车相关的功率转换系统。

替代型号

GA1206A221KBABT31G, IRF540N, FDP5500

GA1206A222KBABT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容2200 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-