IXXN100N60B3H1 时间：2025/8/6 7:00:10 阅读：30

IXXN100N60B3H1 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压和高电流的应用场景。这款器件采用了先进的平面技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，使其非常适合用于电源转换、电机控制和工业自动化等高要求的应用。IXXN100N60B3H1 的最大漏极-源极电压（Vds）为600V，最大漏极电流（Id）为100A，能够提供高效的功率转换能力。

参数

型号：IXXN100N60B3H1
　　类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极-源极电压（Vds）：600V
　　最大栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　最大漏极电流（Id）：100A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 80mΩ（在 Vgs=10V 时）
　　功耗（Ptot）：400W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247
　　晶体管配置：单管

特性

IXXN100N60B3H1 具有多个显著的电气和热性能优势，首先其低导通电阻（Rds(on)）能够显著降低导通损耗，提高整体系统效率。其次，该器件采用了先进的平面工艺技术，提供了卓越的稳定性和耐用性。此外，该MOSFET具有快速开关特性，能够支持高频操作，减少开关损耗，适用于高效率的电源转换设计。其高耐压能力（600V）和大电流承载能力（100A）使其适用于高功率应用。封装采用 TO-247 形式，具有良好的散热性能，确保在高功率密度应用中的可靠性。
　　该器件还具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下提供一定的保护。同时，其栅极驱动电压范围较宽（通常为 10V 至 20V），允许设计者根据具体应用需求优化开关速度和驱动损耗。由于其良好的热稳定性，IXXN100N60B3H1 在高温环境下依然能保持稳定的性能，适用于恶劣工作条件下的工业和汽车电子系统。

应用

IXXN100N60B3H1 主要用于需要高效功率转换和高可靠性的电子系统中。常见的应用包括工业电源、不间断电源（UPS）、电机驱动器、电动车充电系统、太阳能逆变器以及各类高功率开关电源（SMPS）。由于其高耐压和大电流能力，该器件也广泛用于电动工具、工业自动化设备以及电焊机等需要高功率输出的设备中。此外，它还适用于各类DC-AC和DC-DC转换电路，特别是在需要快速开关和低损耗的应用中表现出色。