RLDSON10Q055LV 是一款由 Renesas Electronics(瑞萨电子)推出的 N 沟道功率 MOSFET,专为高效率、低电压应用而设计。该器件具有较低的导通电阻(RDS(on)),适用于需要高电流能力和高效能的电源管理应用,例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和电池管理系统。RLDSON10Q055LV 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,能够在低栅极电压下实现优异的导通性能,适合 5V 驱动电路的应用。
类型:N 沟道 MOSFET
漏源电压(VDS):100V
栅源电压(VGS):±20V
漏极电流(ID)@25°C:120A
导通电阻(RDS(on)):5.5mΩ @ VGS=10V
导通电阻(RDS(on)):7.5mΩ @ VGS=4.5V
功率耗散(PD):300W
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
封装形式:PowerPAK? SO-8 双面散热
RLDSON10Q055LV 具备多项优异特性,使其在高性能电源系统中表现出色。
首先,其极低的导通电阻(RDS(on))可显著降低导通损耗,提高整体系统效率。在 VGS=10V 时 RDS(on) 仅为 5.5mΩ,即使在较低的 VGS=4.5V 下,RDS(on) 仍保持在 7.5mΩ 的低水平,适合使用 5V 栅极驱动器的应用场景。
其次,该器件采用了瑞萨先进的沟槽式 MOSFET 工艺技术,提高了载流能力和热稳定性,确保在高电流和高负载条件下仍能保持稳定运行。
此外,RLDSON10Q055LV 采用 PowerPAK? SO-8 双面散热封装,具备优异的热管理和散热能力,适用于高密度、高功率密度的 PCB 设计。该封装形式也支持表面贴装技术(SMT),便于自动化生产和提高系统可靠性。
该 MOSFET 还具备较高的耐用性和稳定性,工作温度范围覆盖 -55°C 至 +175°C,适合在严苛的工业和汽车环境中使用。
最后,RLDSON10Q055LV 的封装尺寸紧凑,有助于节省 PCB 空间,同时提供高电流处理能力,是高性能电源系统中理想的功率开关器件。
RLDSON10Q055LV 主要应用于需要高效率、高电流能力的电源管理系统。常见用途包括同步整流型 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动控制器、电池管理系统(BMS)以及服务器和通信设备的电源模块。此外,该器件也适用于汽车电子系统,如车载充电器、电动助力转向系统(EPS)和车载 DC-DC 转换器等。由于其优异的导通特性和热管理性能,RLDSON10Q055LV 也常用于高密度电源模块和便携式高功率设备的设计中。
SiS110AN, IRF6604, SQJQ160EL, IPD90N03S4-03