类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　漏极电流（ID）@25°C：120A
　　导通电阻（RDS(on)）：5.5mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻（RDS(on)）：7.5mΩ @ VGS=4.5V
　　功率耗散（PD）：300W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：PowerPAK? SO-8 双面散热

RLDSON10Q055LV 具备多项优异特性，使其在高性能电源系统中表现出色。
　　首先，其极低的导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高整体系统效率。在 VGS=10V 时 RDS(on) 仅为 5.5mΩ，即使在较低的 VGS=4.5V 下，RDS(on) 仍保持在 7.5mΩ 的低水平，适合使用 5V 栅极驱动器的应用场景。
　　其次，该器件采用了瑞萨先进的沟槽式 MOSFET 工艺技术，提高了载流能力和热稳定性，确保在高电流和高负载条件下仍能保持稳定运行。
　　此外，RLDSON10Q055LV 采用 PowerPAK? SO-8 双面散热封装，具备优异的热管理和散热能力，适用于高密度、高功率密度的 PCB 设计。该封装形式也支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和提高系统可靠性。
　　该 MOSFET 还具备较高的耐用性和稳定性，工作温度范围覆盖 -55°C 至 +175°C，适合在严苛的工业和汽车环境中使用。
　　最后，RLDSON10Q055LV 的封装尺寸紧凑，有助于节省 PCB 空间，同时提供高电流处理能力，是高性能电源系统中理想的功率开关器件。

RLDSON10Q055LV 主要应用于需要高效率、高电流能力的电源管理系统。常见用途包括同步整流型 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动控制器、电池管理系统（BMS）以及服务器和通信设备的电源模块。此外，该器件也适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车载 DC-DC 转换器等。由于其优异的导通特性和热管理性能，RLDSON10Q055LV 也常用于高密度电源模块和便携式高功率设备的设计中。

SiS110AN, IRF6604, SQJQ160EL, IPD90N03S4-03