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QM12102TR13 发布时间 时间:2025/8/15 8:50:58 查看 阅读:30

QM12102TR13 是一款由 Diodes 公司(原 Pericom Semiconductor)生产的双刀双掷(DPDT)模拟开关芯片,采用 10 引脚 TDFN 封装。该器件广泛用于需要高速信号切换的应用中,例如通信系统、测试设备和工业控制。QM12102TR13 支持宽电压供电范围,具有低导通电阻和低串扰特性,适用于高频信号的切换。

参数

类型:模拟开关
  配置:DPDT(双刀双掷)
  通道数:2
  电源电压:2.3V ~ 5.5V
  导通电阻(典型值):0.8Ω
  开关时间(典型值):15ns
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  封装类型:TDFN-10

特性

QM12102TR13 拥有多项优异特性,确保其在各种高性能信号切换应用中稳定可靠地运行。首先,其低导通电阻(典型值为 0.8Ω)确保了信号在传输过程中损耗极小,适用于高保真模拟信号的切换。其次,该器件支持 2.3V 至 5.5V 的宽电压供电范围,使其能够兼容多种电源系统,包括 3.3V 和 5V 逻辑电平,从而提升了设计的灵活性。
  此外,QM12102TR13 提供快速的开关时间(典型值为 15ns),使其适用于高速数据通信和信号路由应用。其低串扰特性(通常低于 -55dB)可有效减少不同通道之间的信号干扰,保证信号完整性。
  该芯片采用 10 引脚 TDFN 小型封装,节省 PCB 空间,适用于高密度电路设计。同时,其工作温度范围为 -40°C 至 +85°C,适用于工业级环境下的稳定运行。

应用

QM12102TR13 主要用于需要高性能模拟信号切换的场合。典型应用包括通信系统中的信号路径选择、测试与测量设备中的多路复用、工业控制系统的信号路由、音频视频切换设备,以及高速数据采集系统。该器件的高带宽和低失真特性也使其适用于射频(RF)前端模块中的信号切换。此外,由于其低功耗设计和宽电压范围,也适用于便携式电子设备和电池供电系统。

替代型号

PI5V12102, ADG919, TMUX1210

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