时间：2025/8/21 2:21:10
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WS57C49C-35TMB是一款由Winbond公司生产的高性能、低功耗的CMOS静态随机存取存储器（SRAM）。该器件专为需要高速数据存储和低延迟访问的应用设计，适用于工业控制、通信设备、网络设备、消费电子等多个领域。其主要特点是具有高速读写能力、宽电压工作范围以及良好的数据保持特性。
类型：SRAM
容量：512K位（64K x 8）
电源电压：2.3V至3.6V
访问时间：10ns
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装类型：TSOP
引脚数：54
数据保持电压：1.5V（最小）
最大工作频率：100MHz
输入/输出电压兼容性：5V容限输入
功耗：典型工作电流为120mA，待机电流小于10μA
WS57C49C-35TMB具备多项优异性能，适用于多种应用场景。首先，其高速访问时间为10ns，支持高达100MHz的工作频率，能够满足高速数据处理的需求。其次，器件支持宽电压范围（2.3V至3.6V），提高了在不同电源环境下的适应性，并支持1.5V以上的数据保持电压，即使在低功耗模式下也能确保数据不丢失。
该SRAM器件采用CMOS工艺制造，具有低功耗特性，典型工作电流仅为120mA，待机电流小于10μA，适用于对功耗敏感的应用场景。此外，其支持5V容限输入，使得该器件可以与5V逻辑系统兼容，无需额外的电平转换电路，降低了系统设计的复杂性。
封装方面，WS57C49C-35TMB采用54引脚TSOP封装，体积小巧，适合高密度PCB布局。其工作温度范围为-40°C至+85°C，能够在工业级温度环境下稳定运行，适用于各种严苛的工作条件。
WS57C49C-35TMB广泛应用于需要高速数据存储和稳定性能的电子系统中。例如，它常用于工业控制设备中的缓存存储、网络和通信设备的数据缓冲、嵌入式系统的临时数据存储以及消费类电子产品中的图形缓存等。此外，由于其低功耗特性，也适用于便携式设备和电池供电系统。
ISSI IS62C25128ALBLL-10TLI，Cypress CY62148EVLL-45ZE3，Microchip 23K256-I/P
