时间：2025/5/30 10:37:37
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SFC-120-T2-F-D-K-TR 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等场景。该芯片采用先进的封装技术，具有低导通电阻和高耐压特性，能够在高频条件下提供卓越的效率和可靠性。
这款器件的设计使其非常适合要求高功率密度和高效能的应用场合，同时其封装形式支持表面贴装，便于自动化生产和优化散热性能。
型号：SFC-120-T2-F-D-K-TR
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：120A
导通电阻（Rds(on)）：1.2mΩ
总功耗：250W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247-3L
SFC-120-T2-F-D-K-TR 的核心优势在于其卓越的电气性能和热管理能力。首先，它具备极低的导通电阻（仅 1.2mΩ），这使得在高电流应用中能够显著降低传导损耗并提高整体效率。
其次，该器件支持高达 120A 的连续漏极电流，同时最大漏源电压为 60V，确保了其在高压和大电流条件下的稳定性。
此外，该芯片采用了 TO-247-3L 封装形式，这种封装不仅提供了出色的散热性能，还允许通过表面贴装技术进行快速且可靠的安装。
最后，其工作温度范围宽广（-55°C 至 +175°C），能够适应各种严苛的工作环境，包括工业级和汽车级应用场景。
SFC-120-T2-F-D-K-TR 广泛应用于需要高效率和高可靠性的电子设备中。典型应用包括：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动与控制
4. 工业自动化设备
5. 汽车电子系统中的负载切换
6. 大功率 LED 驱动电路
7. 电池管理系统（BMS）中的充放电保护
由于其优异的电气特性和热管理能力，这款芯片成为许多高功率密度设计的理想选择。
SFC-120-T2-F-D-K-TR-A, SFC-120-T2-F-D-K-TR-B
