时间：2025/9/16 14:48:36
阅读：10
PSMN005-75B是一款由Nexperia（原恩智浦半导体的小信号部门）制造的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、负载开关和DC-DC转换器等高效能电子系统中。该器件采用先进的Trench工艺技术，具备低导通电阻、高开关速度和优异的热稳定性等特点。PSMN005-75B封装为LFPAK56（也称为Power-SO8），该封装具备优良的散热性能，同时支持高密度PCB布局。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：75V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：@25°C 250A，@100°C 170A
导通电阻(Rds(on))：最大5mΩ（@Vgs=10V）
功耗(Pd)：120W
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装：LFPAK56 (Power-SO8)
PSMN005-75B采用了Nexperia的高性能Trench MOSFET技术，具备极低的导通电阻（Rds(on)），从而显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。其Rds(on)在Vgs=10V时最大仅为5mΩ，这一特性使其非常适合用于高电流应用，如电源转换器和电动工具中的功率开关。
此外，该器件的最大连续漏极电流在25°C下可达到250A，即使在高温环境下（如100°C）仍可维持170A的电流能力，表现出色的热稳定性与负载能力。这种高电流承载能力使其在高功率密度应用中成为理想选择。
PSMN005-75B的工作温度范围宽达-55°C至175°C，适用于严苛的工业和汽车电子环境。其±20V的栅源电压耐受能力，也提升了在高噪声或瞬态电压环境下工作的可靠性。
封装方面，LFPAK56（即Power-SO8）是一种无引脚的双面散热封装，具有出色的热性能和机械稳定性，有助于提高器件在高功率应用中的长期可靠性。同时，这种封装支持自动化贴片生产，有利于提高生产效率和降低制造成本。
PSMN005-75B因其高性能参数和优良的封装设计，广泛应用于多种功率电子系统中。例如，在DC-DC转换器中，该器件可作为主开关器件，因其低Rds(on)和高开关速度，能够显著提升转换效率并减少功率损耗。
在电源管理系统中，PSMN005-75B常用于负载开关、电池管理系统（BMS）和电动工具的功率控制模块，其高电流承载能力和出色的热稳定性确保系统在高负载条件下仍能稳定运行。
此外，该器件也适用于电机控制、电源逆变器和工业自动化设备中的功率开关应用。由于其封装支持双面散热，特别适合对散热要求较高的紧凑型设计，例如新能源汽车的车载充电器（OBC）、储能系统和高功率密度电源模块。
PSMN005-75B的工业级温度范围也使其适用于户外设备、工业控制系统和自动化生产线中的功率管理单元。
SiSSPM250NQ-7, IPD025N07LG, BSC050N06LS
