容量：512 Mbit (64 MB)
　　存储器类型：NOR Flash
　　工作电压：2.7V 至 3.6V
　　读取电流：典型值 15 mA
　　待机电流：最大值 10 μA
　　编程/擦除电压：内部电荷泵生成
　　读取访问时间：约 55 ns
　　接口类型：并行接口（x8/x16）
　　擦除块大小：统一块或多个扇区配置
　　编程时间：约 200 μs/word
　　擦除时间：约 0.5 s/block
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　封装类型：TSOP / BGA

W29GL512SH9B 提供了 NOR Flash 的典型优势，例如支持快速随机读取访问，适用于直接执行代码（XIP，eXecute In Place）的应用。该芯片具有高可靠性和耐用性，能够承受较高的擦写周期次数。其支持的擦除块大小可以配置，允许用户根据具体应用需求灵活管理存储空间。芯片内置的电荷泵减少了对外部高压电源的需求，简化了系统设计。此外，W29GL512SH9B 具有低功耗特性，支持待机模式以降低功耗，适合电池供电或节能型设备。其并行接口兼容 x8 和 x16 模式，提供了较高的数据传输效率。该芯片还支持软件和硬件写保护功能，确保关键数据的安全性。由于其高稳定性和广泛的工业应用支持，W29GL512SH9B 是工业控制、通信设备和嵌入式系统中的理想选择。

W29GL512SH9B 主要应用于需要快速代码执行和稳定存储的嵌入式系统，如路由器、交换机、工业自动化控制器、医疗设备、人机界面（HMI）设备以及消费类电子产品中的固件存储。其 NOR Flash 特性使其非常适合用作引导代码存储器，支持系统快速启动和稳定运行。在通信设备中，W29GL512SH9B 可用于存储配置数据、固件和操作代码。此外，它也适用于汽车电子系统，如车载信息娱乐系统（IVI）和车身控制模块（BCM），提供可靠的代码和数据存储解决方案。

M29GL512GT1GBB4
　　 S29GL512S10TFBIR2
　　 MX29GL512F