时间：2025/12/29 14:05:31
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RFD8P06LESM 是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）推出的N沟道功率MOSFET，采用高性能的沟槽式技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高效率的特性。该器件广泛应用于汽车电子、工业电源、DC-DC转换器以及电机控制等高功率密度和高效率需求的场合。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：8A
导通电阻（Rds(on)）：18mΩ（典型值）
封装形式：Power PAk SO-8
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
RFD8P06LESM 采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供极低的导通电阻，从而降低导通损耗并提高系统效率。其Power PAk SO-8封装形式具有良好的热性能和电流承载能力，适合在高功率密度应用中使用。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至20V之间的稳定工作，增强了其在不同应用环境下的适应性。
此外，RFD8P06LESM具备出色的雪崩能量耐受能力，提高了器件在开关过程中的稳定性和可靠性。该MOSFET在高温环境下仍能保持良好的性能，适用于严苛的工业和汽车应用环境。其封装设计也支持表面贴装工艺，便于自动化生产和良好的PCB布局散热管理。
该器件主要应用于汽车电子系统（如车载充电系统、电池管理系统、电机驱动控制）、工业电源（如开关电源、DC-DC转换器、UPS系统）、电机控制和功率负载开关等领域。此外，RFD8P06LESM 也适用于要求高效率和高可靠性的消费类电子设备中。
RFD8N06LSM, SiSS886N, FDS8858CZ
