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TDZ8V2J,115 发布时间 时间:2025/9/14 6:50:19 查看 阅读:16

TDZ8V2J,115 是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)制造的齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和电路保护应用。该器件设计用于在特定电压下保持稳定的电压降,即使在输入电压或负载电流发生变化的情况下,也能提供恒定的输出电压。这款齐纳二极管采用小型SOD323封装,适合在空间受限的电子设备中使用。

参数

类型:齐纳二极管
  齐纳电压:8.2 V
  齐纳电流:5 mA
  最大耗散功率:300 mW
  工作温度范围:-65°C ~ 150°C
  封装类型:SOD323
  极性:单向

特性

TDZ8V2J,115 是一款高性能齐纳二极管,具有出色的电压稳定性和低动态阻抗。其齐纳电压为8.2V,在5mA的测试电流下保持稳定,确保在各种工作条件下提供可靠的电压调节。该器件的最大功耗为300mW,使其能够在中等功率应用中稳定运行。采用SOD323封装,尺寸小巧,适用于高密度PCB布局。
  该二极管的反向漏电流极低,在未达到齐纳击穿电压时,对电路的影响可以忽略不计。其工作温度范围宽达-65°C至+150°C,适应各种恶劣环境下的应用。此外,该器件具有良好的热稳定性和长期可靠性,适合用于工业控制、消费类电子和通信设备等对稳定性要求较高的场合。

应用

TDZ8V2J,115 主要用于电压调节、基准电压源、过压保护和信号调节等电路中。在电源管理电路中,它可以用作稳压器,为微控制器、传感器或其他敏感电子元件提供稳定的参考电压。此外,该器件也可用于电池供电设备、LED驱动电路、DC-DC转换器以及各种模拟和数字电路中的稳压应用。由于其小型封装,非常适合空间受限的便携式电子产品,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。

替代型号

BZX84J8V2LT1G, MMSZ5243B

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TDZ8V2J,115参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)8.2V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.1V @ 100mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电700nA @ 5V
  • 容差±2%
  • 功率 - 最大500mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)10 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-90,SOD-323F
  • 供应商设备封装SOD-323F
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 其它名称TDZ8V2J115