类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：120A（在Tc=25°C时）
　　最大漏-源电压（VDS）：60V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大5.1mΩ（在VGS=10V时）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6
　　安装类型：表面贴装
　　功率耗散（PD）：300W

PR36MF51YIPF具备一系列优异的电气和热性能，适用于高要求的功率管理应用。其主要特性包括：
　　? 低导通电阻（Rds(on)）：该MOSFET在VGS=10V条件下，Rds(on)最大为5.1mΩ，使得在高电流工作时功耗更低，提高系统效率。
　　? 高电流承载能力：最大漏极电流可达120A，适合用于高功率密度的电源系统，如服务器电源、电池管理系统和工业自动化设备。
　　? 高耐压能力：漏-源电压最大为60V，使其适用于多种中低压功率转换应用，如DC-DC变换器、马达驱动器等。
　　? 热阻低：采用PowerFLAT 5x6封装，热阻（Rth-jmb）低至0.83°C/W，提高了散热效率，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
　　? 快速开关性能：具备低栅极电荷（Qg）和低输出电容（Coss），有助于减少开关损耗，提高系统响应速度。
　　? 静电放电（ESD）保护：该器件内置ESD保护功能，增强了在复杂电磁环境中的可靠性。
　　? 符合RoHS标准：该器件符合环保法规要求，适合用于绿色电子产品设计。

PR36MF51YIPF广泛应用于多种功率管理和开关控制场合，包括：
　　? DC-DC降压/升压转换器：用于工业电源、通信设备和服务器电源模块，提供高效率的能量转换。
　　? 电机驱动与控制：适用于电动工具、无人机、机器人和工业自动化设备中的电机控制电路。
　　? 电池管理系统（BMS）：用于电动车、储能系统和便携式设备中实现高效率的充放电控制。
　　? 负载开关与热插拔电路：在服务器和存储设备中作为电源开关，实现安全的热插拔操作。
　　? 电源分配与负载均衡：用于数据中心和电信基础设施中的高效电源管理方案。
　　? 汽车电子系统：如车载充电器、DC-DC变换器和智能配电系统。

STL110N6F7, IPPB90N06S4-03, IRF1324S-7PPBF