时间：2025/12/27 17:17:21
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475K100CS4G是一种多层陶瓷电容器（MLCC），广泛应用于各类电子设备中，作为去耦、滤波、旁路和储能元件。该型号遵循EIA标准命名规则，其中‘475K’代表标称电容值为4.7μF，‘100’表示额定电压为10V，‘C’代表温度特性符合X5R或X7R等级（具体需参考厂商规格），而‘S4G’通常表示封装尺寸与端接方式，如0805（2012公制）尺寸及特定的电极材料。该器件由多个介电层与内电极交替堆叠构成，具有高可靠性、小体积和良好的高频性能，适用于现代高密度表面贴装技术（SMT）。由于其稳定的电气特性与宽泛的工作温度范围，475K100CS4G常见于消费类电子产品、通信设备、电源管理模块以及工业控制电路中。制造商可能包括Murata、TDK、Samsung Electro-Mechanics或Yageo等主流MLCC供应商。需要注意的是，不同厂家对型号的命名可能存在细微差异，因此在选型时应结合官方数据手册进行确认，以确保参数匹配设计需求。此外，随着片式陶瓷电容器技术的发展，此类产品在抗直流偏压能力、温度稳定性和机械强度方面持续优化，能够更好地应对复杂工作环境下的挑战。
电容值：4.7μF
容差：±10%
额定电压：10V DC
温度特性：X5R（-55°C 至 +85°C，容量变化±15%）或 X7R（-55°C 至 +125°C，容量变化±15%）
封装尺寸：0805（2.0mm x 1.25mm）
介质材料：钡钛酸盐基陶瓷
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
厚度：约1.25mm
端接类型：镍阻挡层/锡覆盖（Ni-Sn）
老化率：≤2.5%每十年（典型值）
绝缘电阻：≥500MΩ 或 ≥100Ω·F（取较大者）
最大纹波电流：依据频率和温升确定，需查规格书
475K100CS4G作为一款高性能多层陶瓷电容器，具备优异的电气稳定性与机械可靠性。其采用先进的叠层制造工艺，在有限的空间内实现较高的单位体积电容量，满足现代电子产品小型化、轻薄化的设计趋势。该电容器的核心介质材料为改性钡钛酸盐陶瓷，能够在较宽的温度范围内保持相对稳定的电容性能。例如，在X5R或X7R分类下，其电容值随温度的变化控制在±15%以内，适合用于对温度敏感度有一定要求但无需超高精度的应用场景。同时，该器件具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），使其在高频去耦和噪声滤波应用中表现出色，能有效抑制电源线上的高频干扰，提升系统信号完整性。
另一个显著特点是其良好的直流偏压特性。尽管高介电常数类陶瓷电容普遍存在电容值随外加直流电压升高而下降的现象，但475K100CS4G通过优化内部电极结构与介质配方，尽可能减缓这一效应，保证在实际工作电压下的有效电容仍能满足设计裕量。此外，该器件支持回流焊工艺，兼容无铅焊接流程，符合RoHS环保标准，适用于自动化贴片生产线。
在长期使用方面，475K100CS4G展现出出色的耐久性和低老化率，即使在高温高湿环境下也能维持稳定的性能表现。其端电极采用多层金属化结构（如铜内电极、镍阻挡层和锡外涂层），增强了抗湿性与焊接可靠性，减少因热应力或机械振动导致的开裂或脱焊风险。整体设计兼顾了电气性能、环境适应性与可制造性，是当前中高压、中等容量贴片电容中的主流选择之一。
475K100CS4G广泛应用于各类需要稳定电容性能与紧凑封装的电子系统中。在便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，常被用作电源去耦电容，连接在处理器、内存芯片或射频模块的供电引脚附近，用于平滑瞬态电流波动，降低电源噪声，提高系统运行稳定性。在电源管理系统中，包括DC-DC转换器、LDO稳压器的输入输出滤波电路，该电容器可有效滤除开关噪声，提升转换效率并减少输出纹波。
通信设备如路由器、交换机和基站模块也大量使用此类MLCC，承担信号耦合、旁路和EMI抑制功能。在工业控制与汽车电子领域，由于其较宽的工作温度范围和较强的环境适应能力，475K100CS4G可用于PLC控制器、传感器接口电路以及车载信息娱乐系统中，保障关键电路在恶劣条件下的可靠运行。此外，在医疗电子、测试仪器和智能家居设备中，该器件同样发挥着重要作用，作为储能元件或噪声滤波单元，确保系统精度与响应速度。随着电子产品向更高集成度发展，对小型化、高性能无源元件的需求持续增长，使得475K100CS4G这类兼具性价比与技术成熟度的MLCC成为不可或缺的基础元器件。
