时间：2025/8/13 3:16:25
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LMBR2100FT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 2A 表面贴装肖特基势垒整流器，采用紧凑的 DFN 封装。该器件适用于需要高效率和快速开关性能的应用场景，例如电源适配器、电池充电器、DC-DC 转换器和负载开关。LMBR2100FT1G 提供了低正向压降和高电流能力，以减少导通损耗并提高能效。
最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V
最大正向平均电流（IF(AV)）：2A
正向压降（VF）：0.37V（典型值，IF=2A）
峰值浪涌电流（IFSM）：50A
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
封装类型：DFN-6
LMBR2100FT1G 具有多个关键特性，使其适用于各种高能效电源设计。首先，其低正向压降（在满载电流下仅为 0.37V）可显著降低导通损耗，从而提高整体效率。其次，该肖特基二极管具备较高的浪涌电流承受能力，能够应对瞬态过载情况，增强了系统的稳定性。
此外，LMBR2100FT1G 采用先进的 DFN 封装技术，具备较小的封装尺寸和良好的热性能，适用于空间受限的 PCB 设计。其无铅封装符合 RoHS 和 REACH 环保标准，适用于绿色电子产品的制造。
由于其快速恢复特性，LMBR2100FT1G 在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗并提高了系统响应速度。该器件还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，适用于工业级和汽车电子应用。
LMBR2100FT1G 主要应用于需要高效、紧凑型整流器的电路中。常见的应用包括电源适配器、便携式设备充电器、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及汽车电子系统中的电源整流电路。
在电源适配器中，LMBR2100FT1G 可用于次级侧整流，以提高转换效率并减少发热。在电池充电器中，该器件可作为反向电流保护元件，防止电池反向放电。在 DC-DC 转换器中，LMBR2100FT1G 用于同步整流或续流二极管，以提高系统能效。
此外，LMBR2100FT1G 也适用于工业自动化设备、智能电表、LED 照明驱动电路等需要高效整流的场景。其高浪涌电流能力和紧凑封装也使其成为汽车电子模块的理想选择，例如车载充电器和车身控制模块。
LMBR2100T1G, LMBR2100FS, MBRS2100T3G
