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BUT92 发布时间 时间:2025/7/23 6:38:49 查看 阅读:6

BUT92 是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于开关电源、功率放大器以及工业控制电路中。这款晶体管具有高电流承载能力、低导通电阻和良好的热稳定性,适用于高频开关应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):100V
  栅源电压(Vgs):±20V
  漏极电流(Id):连续28A
  导通电阻(Rds(on)):约0.045Ω(典型值)
  功率耗散(Pd):150W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-220AB

特性

BUT92 的最大特点是其高电流和低导通电阻,这使得它在高功率应用中表现出色,同时减少了功率损耗和发热。它具有快速开关特性,适合高频操作,提高了电源转换效率。此外,该器件采用耐用的TO-220封装,具有良好的热管理和散热能力,能够在较高环境温度下稳定运行。MOSFET的栅极驱动简单,易于与数字控制器配合使用。
  此外,BUT92 具有较高的雪崩能量耐受能力,能够在瞬态过电压情况下保持稳定,提高了系统的可靠性和耐用性。其栅极绝缘层设计良好,避免了因静电放电(ESD)引起的损坏风险。

应用

BUT92 常见于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、电池充电器以及各种工业自动化控制系统中。由于其高效率和高电流处理能力,也常用于音频功率放大器的输出级和高功率LED驱动电路。此外,该器件适用于需要高可靠性和高效率的汽车电子系统,如电动车辆的功率管理系统和车载充电器。
  在实际应用中,BUT92 可以作为开关元件用于PWM(脉宽调制)控制电路,以实现精确的功率调节。它还可以用作负载开关,在需要频繁开启和关闭高功率负载的场合中表现出色。

替代型号

IRFZ44N, IRF540N, STP55NF06, FDP6676, SiHF540

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BUT92参数

  • 安装类型通孔
  • 宽度26.2mm
  • 封装类型TO-3
  • 尺寸8.7 x 39.5 x 26.2mm
  • 引脚数目3
  • 晶体管类型NPN
  • 最低工作温度-65 °C
  • 最大功率耗散250000 mW
  • 最大发射极-基极电压7 V
  • 最大基极-发射极饱和电压1.5 V
  • 最大集电极-发射极电压250 V
  • 最大集电极-发射极饱和电压1.2 V
  • 最大集电极-基极电压350 V
  • 最高工作温度+200 °C
  • 每片芯片元件数目1
  • 类别双极功率
  • 配置
  • 长度39.5mm
  • 高度8.7mm