BUT92 是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于开关电源、功率放大器以及工业控制电路中。这款晶体管具有高电流承载能力、低导通电阻和良好的热稳定性,适用于高频开关应用。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):100V
栅源电压(Vgs):±20V
漏极电流(Id):连续28A
导通电阻(Rds(on)):约0.045Ω(典型值)
功率耗散(Pd):150W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-220AB
BUT92 的最大特点是其高电流和低导通电阻,这使得它在高功率应用中表现出色,同时减少了功率损耗和发热。它具有快速开关特性,适合高频操作,提高了电源转换效率。此外,该器件采用耐用的TO-220封装,具有良好的热管理和散热能力,能够在较高环境温度下稳定运行。MOSFET的栅极驱动简单,易于与数字控制器配合使用。
此外,BUT92 具有较高的雪崩能量耐受能力,能够在瞬态过电压情况下保持稳定,提高了系统的可靠性和耐用性。其栅极绝缘层设计良好,避免了因静电放电(ESD)引起的损坏风险。
BUT92 常见于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、电池充电器以及各种工业自动化控制系统中。由于其高效率和高电流处理能力,也常用于音频功率放大器的输出级和高功率LED驱动电路。此外,该器件适用于需要高可靠性和高效率的汽车电子系统,如电动车辆的功率管理系统和车载充电器。
在实际应用中,BUT92 可以作为开关元件用于PWM(脉宽调制)控制电路,以实现精确的功率调节。它还可以用作负载开关,在需要频繁开启和关闭高功率负载的场合中表现出色。
IRFZ44N, IRF540N, STP55NF06, FDP6676, SiHF540