PDTD113EUX是一款由Rohm Semiconductor制造的双极性晶体管(BJT),具有NPN结构,适用于广泛的一般用途放大和开关应用。该晶体管具有高增益、低饱和电压和快速响应时间的特点,因此非常适合用于需要高稳定性和高性能的电路设计中。PDTD113EUX采用超小型TSMT6封装,适用于便携式设备和空间受限的应用。它在汽车电子、工业控制和消费类电子产品中都有广泛的应用。
晶体管类型:NPN BJT
集电极-发射极电压(Vce):100V
集电极电流(Ic):100mA
功率耗散(Ptot):200mW
电流增益(hFE):110至800(根据等级不同)
过渡频率(fT):100MHz
工作温度范围:-55°C至+150°C
PDTD113EUX具备多项优异的电气和物理特性。其NPN结构设计使其能够在低电压下实现高效的电流放大功能,适用于音频放大器、信号处理和逻辑电平转换等应用。晶体管的最大集电极-发射极电压为100V,最大集电极电流为100mA,能够满足大多数中低功率电路设计的需求。此外,该器件具有较高的过渡频率(fT)为100MHz,适合用于高频应用,如射频放大器和高速开关电路。
另一个显著特点是其电流增益(hFE)范围广泛,从110到800不等,具体取决于器件的等级,这使得用户可以根据特定应用需求选择合适的产品。PDTD113EUX还具有较低的饱和电压(Vce_sat),有助于减少功耗并提高电路效率。
该晶体管采用TSMT6超小型封装,体积小巧,适合用于空间受限的设计,如智能手机、可穿戴设备和其他便携式电子产品。此外,其封装材料符合RoHS标准,满足环保要求,适用于无铅焊接工艺。
该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C,具有良好的热稳定性和可靠性,能够在恶劣的环境条件下正常工作,这使其非常适合用于汽车电子、工业控制系统和消费类电子产品。
PDTD113EUX广泛应用于多种电子系统中,特别是在需要高效电流放大和开关控制的场景中。由于其高频率响应特性,该晶体管常用于音频放大器、射频放大电路以及信号处理模块。在数字电路中,PDTD113EUX可以用作逻辑电平转换器或驱动器,用于控制LED、继电器、小型电机等负载。
在消费类电子产品中,该晶体管可用于电源管理电路、充电控制模块和传感器接口电路。其低功耗和高稳定性的特点使其成为便携式设备(如智能手机、平板电脑和智能手表)的理想选择。
在汽车电子领域,PDTD113EUX可用于车身控制模块、仪表盘指示灯控制、车载音频系统以及发动机控制单元中的信号处理部分。其宽工作温度范围确保了其在高温和低温环境下的可靠性。
此外,该晶体管还可用于工业自动化系统中的继电器驱动、PLC控制电路以及传感器信号放大等应用,满足工业设备对高可靠性和长寿命的要求。
BC847 NPN, 2N3904, PN2222A, MMBT3904