IR3C07N 时间：2025/8/28 22:19:21 阅读：7

IR3C07N是一款由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高功率开关和电源管理领域。该器件具有较低的导通电阻、较高的电流承载能力和快速的开关特性，适用于DC-DC转换器、电机控制、电源供应器以及各种高效率功率转换设备。IR3C07N采用TO-220封装，便于散热并适合于各种工业和汽车应用环境。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：100A
　　导通电阻(Rds(on))：7.0mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装形式：TO-220

特性

IR3C07N具有多个显著的电气和热性能优势。其低导通电阻（Rds(on)）为7.0mΩ，能够在高电流条件下实现较低的导通损耗，从而提高系统效率。该MOSFET支持高达100A的连续漏极电流，适用于高功率密度设计。此外，其栅极驱动电压范围较宽，可在+10V至+20V之间工作，适用于多种驱动电路配置。器件的热阻较低，TO-220封装具备良好的散热能力，可在高温环境下稳定运行。IR3C07N还具备优良的短路耐受能力和抗雪崩击穿特性，提升了器件在苛刻工况下的可靠性。
　　在动态性能方面，IR3C07N具备快速开关能力，开关损耗低，有助于提高电源系统的整体效率。其栅极电荷（Qg）较低，可减少驱动电路的负担，提高响应速度。此外，该器件具有良好的热稳定性，适用于在高频开关环境中运行，如同步整流器、电机驱动器和负载开关等应用。综合这些特性，IR3C07N是一款性能优异、可靠性高的功率MOSFET，适合多种高功率应用场景。

应用

IR3C07N主要应用于需要高效功率管理的电子系统中。常见用途包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机控制器、负载开关、电源分配系统、工业自动化设备以及电动车和充电器的功率电路。其高电流能力和低导通损耗也使其成为高效率电源设计的理想选择。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电系统、电动助力转向（EPS）控制器以及车载逆变器等关键部件。此外，由于其良好的热稳定性和耐久性，IR3C07N也被广泛用于工业级电源模块和高可靠性嵌入式系统中。