时间：2025/5/23 15:47:25
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20N03是一款N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。该器件以其低导通电阻和高效率而著称，能够承受较高的电压和电流，适用于多种工业和消费类电子设备。
最大漏源电压：45V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：30A
导通电阻：6mΩ
总功耗：180W
结温范围：-55℃ to 175℃
20N03具有较低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。
其具备快速开关速度，能够支持高频应用。
封装形式通常为TO-220，方便散热处理。
由于其出色的电气性能，这款MOSFET能够在高负载条件下稳定运行。
同时，该器件拥有较强的抗雪崩能力，可提升系统的可靠性。
20N03主要应用于直流-直流转换器、开关电源中的功率开关。
可用于电动工具、家用电器等设备的电机驱动电路。
在太阳能逆变器中作为功率开关使用。
也可用作负载切换开关或保护电路中的关键元件。
IRFZ44N
STP30NF06
FDP158N
IXFN42N
BUK457-60E
