时间：2025/8/28 1:37:09
阅读：19
PQ1T251M2ZP是一款由Rohm（罗姆）公司制造的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和开关应用。这款MOSFET设计用于高效能、低功耗的电子设备，具有优异的导通电阻特性和快速的开关速度。其封装形式为SOT-223，适用于表面贴装技术（SMT）。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：1.5A
漏极-源极电压（VDS）：20V
栅极-源极电压（VGS）：±12V
导通电阻（RDS(on)）：250mΩ（最大值）
功率耗散（PD）：1W
工作温度范围：-55°C至150°C
PQ1T251M2ZP具备低导通电阻，能够有效降低导通状态下的功率损耗，从而提高系统的整体效率。该器件的快速开关特性使其适用于高频开关应用，例如DC-DC转换器和负载开关。此外，PQ1T251M2ZP的SOT-223封装形式不仅节省空间，还便于散热，提高了器件在高电流条件下的稳定性。其宽广的工作温度范围也确保了该MOSFET在恶劣环境下的可靠性。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，允许在多种电源管理应用中灵活使用。由于其低输入电容和传输电容，PQ1T251M2ZP在高频工作条件下仍能保持较低的开关损耗，适用于对能效要求较高的便携式电子设备和工业控制系统。
PQ1T251M2ZP广泛应用于各种电子设备中，包括但不限于便携式电子产品、电源管理系统、DC-DC转换器、LED照明驱动电路、负载开关以及各种低电压开关应用。其高效能和小封装特性使其成为空间受限应用的理想选择。
PQ1T251M2ZP的替代型号包括Rohm的PQ1T251M2ZP-2和PQ1T251M2ZP-3，以及Toshiba的TPD3E04B04和STMicroelectronics的STD1.5NF20。
