PQ1T251M2ZP是一款由Rohm(罗姆)公司制造的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于电源管理和开关应用。这款MOSFET设计用于高效能、低功耗的电子设备,具有优异的导通电阻特性和快速的开关速度。其封装形式为SOT-223,适用于表面贴装技术(SMT)。
类型:N沟道MOSFET
漏极电流(ID):1.5A
漏极-源极电压(VDS):20V
栅极-源极电压(VGS):±12V
导通电阻(RDS(on)):250mΩ(最大值)
功率耗散(PD):1W
工作温度范围:-55°C至150°C
PQ1T251M2ZP具备低导通电阻,能够有效降低导通状态下的功率损耗,从而提高系统的整体效率。该器件的快速开关特性使其适用于高频开关应用,例如DC-DC转换器和负载开关。此外,PQ1T251M2ZP的SOT-223封装形式不仅节省空间,还便于散热,提高了器件在高电流条件下的稳定性。其宽广的工作温度范围也确保了该MOSFET在恶劣环境下的可靠性。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽,允许在多种电源管理应用中灵活使用。由于其低输入电容和传输电容,PQ1T251M2ZP在高频工作条件下仍能保持较低的开关损耗,适用于对能效要求较高的便携式电子设备和工业控制系统。
PQ1T251M2ZP广泛应用于各种电子设备中,包括但不限于便携式电子产品、电源管理系统、DC-DC转换器、LED照明驱动电路、负载开关以及各种低电压开关应用。其高效能和小封装特性使其成为空间受限应用的理想选择。
PQ1T251M2ZP的替代型号包括Rohm的PQ1T251M2ZP-2和PQ1T251M2ZP-3,以及Toshiba的TPD3E04B04和STMicroelectronics的STD1.5NF20。