GRM1555C1H821GA01D 是由村田制作所(Murata)生产的一款多层陶瓷电容器(MLCC),属于 C1H 系列,具有高可靠性和优异的电气性能。该型号主要应用于高频电路中,能够提供稳定的电容值和低等效串联电阻(ESR),适合用于电源滤波、信号耦合及去耦等场景。
村田 GRM 系列电容器以其高质量和稳定性著称,广泛应用于消费电子、通信设备、汽车电子以及工业自动化等领域。
封装:0402 (公制 1005)
容量:82pF
额定电压:50V
耐压等级:DC 50V
误差范围:±5% (J)
温度特性:C0G (NP0)
等效串联电阻(ESR):极低
直流偏置特性:几乎无漂移
1. 高可靠性:采用先进的陶瓷材料制造工艺,确保长期使用中的稳定性能。
2. 温度稳定性:C0G 温度特性使其在 -55°C 至 +125°C 的温度范围内保持容量恒定,偏差小于 ±30ppm/°C。
3. 小型化设计:0402 封装使 GRM1555C1H821GA01D 成为紧凑型电路的理想选择。
4. 极低 ESR 和 ESL:优化高频性能,减少信号失真和噪声干扰。
5. 直流偏置补偿:由于采用 C0G 材料,电容值在施加直流电压时几乎没有变化。
6. 耐焊性:经过特殊处理的端子设计提高了焊接过程中的抗热冲击能力。
1. 高频滤波:适用于射频前端模块中的滤波电路,降低电磁干扰。
2. 去耦电容:用于数字电路和模拟电路中的电源去耦,提高电源稳定性。
3. 信号耦合:在音频和视频信号传输中充当耦合元件,隔离直流成分。
4. 振荡电路:作为石英晶体振荡器的负载电容,确保频率精度。
5. 汽车电子:应用于车载信息娱乐系统和高级驾驶辅助系统(ADAS)。
6. 工业控制:用于可编程逻辑控制器(PLC)和变频器中的滤波和耦合电路。
1. TDK C1608X7R1H82J080AA:容量和电压规格相同,但温度特性为 X7R。
2. Samsung CL10B82PFQBNNE:与 GRM1555C1H821GA01D 具有相似的尺寸和容量,但误差范围为 ±10%。
3. Kemet C0402C82P0GACTU:C0G 温度特性的替代品,适用于高精度应用场景。
4. AVX 04025C820GAT2A:小型封装且具有相同的温度系数,适合空间受限的设计。