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AO3424 发布时间 时间:2025/5/8 19:54:34 查看 阅读:7

AO3424是一款由Alpha and Omega Semiconductor(AOS)公司生产的N沟道增强型MOSFET。它采用先进的制程技术制造,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于各种高效能功率转换应用。该器件通常用于负载开关、DC-DC转换器、降压-升压转换器以及其他需要低损耗开关性能的场景。
  AO3424采用了DFN5x6封装形式,这种封装有助于提高散热性能和简化PCB布局设计。

参数

最大漏源电压Vds:30V
  最大栅源电压Vgs:±8V
  连续漏极电流Id:7.6A
  导通电阻Rds(on):4.5mΩ(在Vgs=10V时)
  栅极电荷Qg:3.9nC
  反向恢复时间trr:20ns
  工作结温范围Tj:-55°C至+150°C

特性

AO3424的主要特点包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效降低功耗。
  2. 快速开关能力,适合高频应用。
  3. 小型DFN5x6封装,节省PCB空间。
  4. 高度可靠的电气性能,能够承受较高的漏源电压和持续的大电流。
  5. 具备优异的热稳定性和较低的寄生电感,适合高密度功率电路设计。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

AO3424广泛应用于以下领域:
  1. 手机和平板电脑中的负载开关。
  2. 笔记本电脑和其他便携式设备的电源管理。
  3. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
  4. DC-DC转换器的核心功率开关元件。
  5. 多种工业控制及消费类电子产品的高效功率转换模块。
  6. 汽车电子系统中对小型化和高性能要求较高的场合。

替代型号

AO3402A, AO3410, IRF7843

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AO3424参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C80 毫欧 @ 2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.8V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs3.2nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds270pF @ 15V
  • 功率 - 最大1.4W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称785-1017-6