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LMBT3904LT1G-T 发布时间 时间:2025/8/13 19:43:03 查看 阅读:20

LMBT3904LT1G-T是一种广泛使用的NPN双极晶体管(BJT),以其可靠性和多功能性而著称。该晶体管采用SOT-23小外形封装,适用于各种通用开关和放大应用。该器件由ON Semiconductor制造,具有较高的电流增益和快速的开关特性,非常适合数字电路和模拟电路中的信号放大和控制。LMBT3904LT1G-T的设计使其在较低的电压和电流条件下表现出色,是许多电子设计中的首选晶体管。

参数

晶体管类型:NPN
  最大集电极电流(Ic):200 mA
  最大集电极-发射极电压(Vce):40 V
  最大集电极-基极电压(Vcb):60 V
  最大功耗:300 mW
  电流增益(hFE):100至300(取决于测试条件)
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:SOT-23

特性

LMBT3904LT1G-T晶体管具有多个显著特性,使其在电子设计中备受青睐。首先,它具有较高的电流增益(hFE),范围从100到300,这使其适用于需要高增益放大的电路。其次,该晶体管的集电极电流能力为200 mA,足以驱动小型继电器、LED和逻辑门电路。此外,LMBT3904LT1G-T的Vce最大额定值为40 V,Vcb最大额定值为60 V,确保了其在较高电压应用中的稳定性。该晶体管的SOT-23封装体积小巧,便于在紧凑的PCB布局中使用。同时,其最大功耗为300 mW,使其在常温下运行时具有良好的热稳定性。
  该器件的开关速度快,适用于数字电路中的高频开关应用。此外,其广泛的工作温度范围(-55°C至+150°C)使其能够在极端环境条件下稳定运行,适用于工业和汽车电子等严苛应用场景。LMBT3904LT1G-T的制造工艺符合工业标准,确保了其在各种工作条件下的长期可靠性和稳定性。

应用

LMBT3904LT1G-T晶体管广泛应用于多种电子电路中。其主要用途包括通用开关电路、逻辑门驱动、LED驱动、继电器控制和信号放大。在数字电路中,它常用于将微控制器或其他逻辑电路的输出信号放大以驱动负载。在模拟电路中,LMBT3904LT1G-T可用于音频放大器或电压调节电路中的前置放大级。此外,该晶体管也常用于电源管理电路、传感器接口和电机控制电路。由于其可靠性高且成本低廉,LMBT3904LT1G-T也广泛用于消费类电子产品、通信设备和汽车电子系统。

替代型号

2N3904, BC847, PN2222A

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