型号：B5011SA2IQMG
　　制造商：ON Semiconductor
　　产品类型：同步整流控制器
　　工作模式：电压检测型同步整流
　　封装类型：QFN-8
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　最大供电电压：28 V
　　静态电流：典型值为 350 μA
　　关断电流：小于 100 μA
　　导通阈值电压（VDS_TH_ON）：典型值 60 mV
　　关断阈值电压（VDS_TH_OFF）：典型值 -60 mV
　　传播延迟时间：导通延迟约 40 ns，关断延迟约 35 ns
　　最大开关频率支持：可达 500 kHz
　　供电电压工作范围：4.5 V 至 24 V
　　集成保护功能：过温保护、UVLO、短路保护
　　引脚数量：8
　　安装方式：表面贴装（SMD）

B5011SA2IQMG的特性之一是其基于精确电压检测的同步整流控制机制，该机制通过实时监测同步MOSFET的漏源电压（VDS）来判断何时开启或关闭MOSFET。这种电压感应方式无需额外的驱动绕组或复杂的隔离反馈电路，简化了电源设计并降低了系统成本。当变压器次级侧电压反转时，芯片迅速检测到MOSFET的VDS下降至预设的正向导通阈值（通常约为60mV），随即开启栅极驱动信号，使MOSFET导通，实现低损耗的能量传递。而在电流即将反向之前，芯片检测到VDS上升并越过负向关断阈值（约-60mV）时，立即关断MOSFET，有效防止体二极管导通带来的能量损失和发热问题。
　　另一个关键特性是其卓越的抗噪声性能。在高频开关环境中，尤其是在反激变换器中，次级侧存在较大的dV/dt瞬变干扰，容易导致误触发。B5011SA2IQMG内置了先进的噪声抑制电路和数字滤波算法，能够有效区分真实的导通/关断信号与噪声干扰，从而避免误操作，提升系统的稳定性和可靠性。同时，其快速的传播延迟（导通约40ns，关断约35ns）保证了同步整流动作的及时性，最大限度地减少死区时间和体二极管导通时间，进一步提升转换效率。
　　该器件还集成了多项保护功能以增强系统鲁棒性。例如，内部热关断电路可在芯片温度超过安全阈值时自动关闭输出，防止过热损坏；欠压锁定（UVLO）功能确保芯片仅在供电电压稳定后才开始正常工作，避免启动过程中的不稳定行为。此外，芯片具备低静态电流（典型350μA）和极低关断电流（<100μA），有助于满足现代能效标准如CoC Tier 2和DoE Level VI的要求。QFN-8的小型封装不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能，适合高密度电源设计。

B5011SA2IQMG主要应用于需要高效率、高可靠性的低中功率电源系统中，尤其适用于反激式拓扑结构的次级侧同步整流控制。其典型应用场景包括手机、笔记本电脑和其他便携设备的AC-DC适配器与充电器，在这些应用中，提升效率和降低发热是核心设计目标，使用该芯片可显著减少传统肖特基二极管带来的导通损耗，从而实现更高的整体能效和更小的散热需求。此外，它也广泛用于开放式开关电源（Open Frame PSU）、LED驱动电源、家用电器辅助电源以及工业控制设备中的隔离电源模块。
　　在USB PD快充电源中，B5011SA2IQMG能够配合主控IC实现高效能量传输，支持高达数十瓦的输出功率，满足现代快充协议对效率和体积的严苛要求。由于其支持高达500kHz的开关频率，因此特别适合用于高频小型化电源设计，有助于缩小变压器和输出滤波元件的尺寸，从而实现紧凑型电源方案。在通信设备、网络路由器和智能家居网关等对电磁干扰（EMI）和待机功耗敏感的应用中，该芯片的低噪声特性和极低静态电流表现尤为突出，有助于系统通过相关认证测试。
　　此外，B5011SA2IQMG还可用于电动汽车车载充电器（OBC）中的辅助电源、工业传感器供电单元以及医疗设备中的隔离电源部分。其宽工作温度范围（-40°C至+125°C）使其能够在恶劣环境条件下稳定运行，适用于工业级和汽车级应用。总体而言，该芯片凭借其高集成度、优异的效率表现和强大的保护功能，已成为现代高效电源设计中不可或缺的关键组件之一。

NCP4306G, FAN6208, MP6908A, SiRi 501