HUF75823D3 时间：2025/12/29 15:17:43 阅读：9

HUF75823D3 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌）制造的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率、高性能电源管理应用而设计。该器件采用了先进的沟槽技术，以提供更低的导通电阻和更高的可靠性。HUF75823D3 通常用于同步整流、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：75A
　　最大漏-源电压：30V
　　导通电阻(RDS(on))：6.5mΩ
　　栅极电压：10V
　　最大功率耗散：170W
　　封装类型：D3PAK
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C

特性

HUF75823D3 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这使得该器件能够在高电流条件下保持较低的传导损耗，从而提高整体系统效率。此外，该 MOSFET 具有较高的电流承载能力和优异的热性能，使其能够在高温环境下稳定运行。
　　HUF75823D3 还具有良好的雪崩能量耐受能力，确保在极端工作条件下仍能保持可靠性。其采用的 D3PAK 封装具有良好的散热性能，有助于快速将热量从芯片传导出去，进一步提升器件的稳定性和寿命。
　　该器件的设计优化了开关性能，减少了开关损耗，并在高频应用中表现出色。HUF75823D3 在栅极驱动方面也具有良好的响应特性，能够快速开启和关闭，减少开关延迟和死区时间，适用于高频率开关电源和电机控制电路。

应用

HUF75823D3 广泛应用于多种电源管理系统中，包括同步整流器、DC-DC 转换器、电池管理系统、负载开关、电源管理和电机控制等场景。
　　在同步整流电路中，HUF75823D3 可用于替代传统二极管进行整流操作，显著提高整流效率并减少发热。在 DC-DC 转换器中，该器件常用于 BUCK 或 BOOST 拓扑结构中的主开关元件，提供高效率的电压转换能力。
　　此外，HUF75823D3 还适合用于电池供电系统中的负载开关，以实现对负载的高效控制和管理。在电机控制应用中，该 MOSFET 可用于 H 桥电路或半桥电路中，实现对电机的精确控制。
　　在汽车电子系统中，如车载充电器、电动助力转向系统和车用 DC-DC 转换器等应用中，HUF75823D3 凭借其高可靠性和优异的热性能，也得到了广泛应用。