PQ1CZ41H2ZPH 是一款由罗姆半导体(Rohm Semiconductor)生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件设计用于高效率电源转换和功率管理应用,具有低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力。PQ1CZ41H2ZPH 采用高性能硅技术,能够在高频率下稳定运行,适用于诸如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和电池管理系统等应用。该器件采用紧凑型表面贴装封装,便于在现代电子设备中实现高密度布局。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):40V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):60A
导通电阻(Rds(on)):1.2mΩ @ Vgs=10V
功耗(Pd):160W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:H2ZPH(双面散热功率封装)
PQ1CZ41H2ZPH 具有多个显著的电气和热性能优势。首先,其极低的导通电阻(Rds(on))仅为1.2mΩ,在Vgs=10V条件下可显著降低导通损耗,提高系统效率。其次,该MOSFET支持高达60A的连续漏极电流,能够满足高功率应用的需求。此外,该器件采用了罗姆的先进沟槽式MOSFET结构,优化了开关性能,减少了开关损耗,从而在高频工作条件下仍能保持良好的热稳定性。
该器件的H2ZPH封装是一种高性能功率封装,具备双面散热能力,能够有效降低热阻,提升散热效率。这对于高功率密度设计尤为重要,可以显著延长器件和系统的使用寿命。PQ1CZ41H2ZPH 的栅极驱动电压范围为±20V,兼容标准逻辑电平驱动器,便于与控制器或驱动IC配合使用。
此外,PQ1CZ41H2ZPH 还具备优异的抗雪崩能力和高耐用性,适用于要求高可靠性的工业和汽车应用。其宽工作温度范围(-55°C至150°C)使其在极端环境条件下也能稳定运行。这些特性使该器件成为高性能电源系统中的理想选择。
PQ1CZ41H2ZPH 主要应用于各种高功率和高效率电源系统中,包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统(BMS)以及工业自动化设备。由于其低导通电阻和高电流承载能力,该MOSFET非常适合用于大功率电源模块和服务器电源系统。此外,该器件也广泛应用于汽车电子系统,如车载充电器、电动助力转向系统和车载DC-DC转换器。在可再生能源领域,PQ1CZ41H2ZPH 可用于太阳能逆变器和储能系统的功率控制电路中,提高系统的整体能效和可靠性。
SiZ410DT, IPW60R017C7, IRF3205, STB60NF03LT, FDMS7610