时间：2025/8/28 22:52:28
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PQ1CZ41H2ZPH 是一款由罗姆半导体（Rohm Semiconductor）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件设计用于高效率电源转换和功率管理应用，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力。PQ1CZ41H2ZPH 采用高性能硅技术，能够在高频率下稳定运行，适用于诸如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和电池管理系统等应用。该器件采用紧凑型表面贴装封装，便于在现代电子设备中实现高密度布局。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：40V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：60A
导通电阻（Rds(on)）：1.2mΩ @ Vgs=10V
功耗（Pd）：160W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：H2ZPH（双面散热功率封装）
PQ1CZ41H2ZPH 具有多个显著的电气和热性能优势。首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）仅为1.2mΩ，在Vgs=10V条件下可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该MOSFET支持高达60A的连续漏极电流，能够满足高功率应用的需求。此外，该器件采用了罗姆的先进沟槽式MOSFET结构，优化了开关性能，减少了开关损耗，从而在高频工作条件下仍能保持良好的热稳定性。
该器件的H2ZPH封装是一种高性能功率封装，具备双面散热能力，能够有效降低热阻，提升散热效率。这对于高功率密度设计尤为重要，可以显著延长器件和系统的使用寿命。PQ1CZ41H2ZPH 的栅极驱动电压范围为±20V，兼容标准逻辑电平驱动器，便于与控制器或驱动IC配合使用。
此外，PQ1CZ41H2ZPH 还具备优异的抗雪崩能力和高耐用性，适用于要求高可靠性的工业和汽车应用。其宽工作温度范围（-55°C至150°C）使其在极端环境条件下也能稳定运行。这些特性使该器件成为高性能电源系统中的理想选择。
PQ1CZ41H2ZPH 主要应用于各种高功率和高效率电源系统中，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备。由于其低导通电阻和高电流承载能力，该MOSFET非常适合用于大功率电源模块和服务器电源系统。此外，该器件也广泛应用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统和车载DC-DC转换器。在可再生能源领域，PQ1CZ41H2ZPH 可用于太阳能逆变器和储能系统的功率控制电路中，提高系统的整体能效和可靠性。
SiZ410DT, IPW60R017C7, IRF3205, STB60NF03LT, FDMS7610
