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FQU5N50CS 发布时间 时间:2025/8/25 3:51:54 查看 阅读:2

FQU5N50CS 是一款由 Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),其设计适用于高电压、高频率的开关应用。该器件具有低导通电阻、高耐压能力以及优异的热性能,非常适合用于电源转换系统,如AC-DC电源适配器、电池充电器、DC-DC转换器以及马达控制电路中。FQU5N50CS采用TO-220封装,便于散热并确保在高功率操作下的稳定性。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(VDS):500V
  栅源电压(VGS):±30V
  漏极电流(ID)@25℃:5A
  漏极电流(ID)@100℃:3.3A
  导通电阻(RDS(on)):2.5Ω(最大)
  工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
  封装类型:TO-220

特性

FQU5N50CS 具备多项优良特性,使其在各种功率应用中表现出色。首先,其高耐压能力(500V VDS)使得该器件能够在高压环境下稳定工作,适用于多种电源系统。其次,低导通电阻(RDS(on))可减少导通损耗,提高整体效率,同时降低器件在工作时的温升,提升系统可靠性。
  此外,该MOSFET具有快速开关特性,适合高频操作,从而支持更紧凑的电源设计。其TO-220封装形式具备良好的散热性能,能够在高功率条件下维持稳定的热管理。FQU5N50CS 还具备较强的抗雪崩能力,能够在异常工作条件下提供额外的保护,防止器件损坏。
  该器件的栅极驱动要求相对较低,可在标准逻辑电平下工作,适用于多种控制电路。同时,其宽泛的工作温度范围(-55℃至+150℃)使其适用于恶劣环境下的工业和消费类应用。

应用

FQU5N50CS 广泛应用于各种功率电子设备中,特别是在需要高压和中等电流处理能力的场合。其典型应用包括但不限于开关电源(SMPS)、电池充电器、DC-DC转换器、电机控制电路、LED照明驱动器、UPS不间断电源系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。
  由于其良好的热性能和高频响应能力,该器件也常用于高频逆变器和节能照明系统。在消费类电子产品中,FQU5N50CS 可用于电源适配器、电视电源模块和智能家电中的功率调节电路。
  此外,FQU5N50CS 也适用于需要高可靠性的工业控制系统,如自动售货机、电动工具和工业电机驱动器。其抗雪崩能力和稳健的封装结构使其在严苛的工业环境中表现出色。

替代型号

FQA5N50C, FQP5N50, IRFBC40, STF5NM50N

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