时间：2025/4/29 15:49:20
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CDB0130QRL 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，广泛应用于高频、高效率的电源转换场景。该器件采用了先进的 GaN 工艺，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，适合要求高性能、高可靠性的电力电子应用。
类型：功率晶体管
材料：氮化镓（GaN）
最大漏源电压（Vds）：600V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：130mΩ
连续漏极电流（Id）：20A
开关频率：高达 5MHz
封装形式：QFN4x4
CDB0130QRL 具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（130mΩ），有效降低导通损耗。
2. 快速开关速度，支持高达 5MHz 的工作频率，满足高频应用场景需求。
3. 高耐压能力（600V），确保在高压环境下稳定运行。
4. 减少了寄生电感和电容的影响，优化了动态性能。
5. 小型化的 QFN4x4 封装设计，有助于节省 PCB 空间。
6. 内置过温保护功能，提升系统可靠性。
CDB0130QRL 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 无线充电设备
4. LED 驱动电路
5. 消费类电子产品中的快充模块
6. 工业级电机驱动和逆变器
7. 太阳能微型逆变器
CDB0150QRL, CDB0100QRL
