类型：NPN双极型晶体管
　　封装类型：SOT-89
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大功率耗散（Ptot）：300mW
　　最大工作频率（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（取决于工作电流）
　　噪声系数（NF）：2dB（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

PMV65XP/MIR晶体管具备多项优异特性，使其适用于多种高性能电子电路设计。首先，其最大集电极-发射极电压为30V，能够承受较高的电压应力，适用于中功率放大和开关电路。其次，晶体管的最大集电极电流为100mA，适用于低至中等功率的信号放大和控制应用。该器件的电流增益范围为110至800，具体数值随工作电流变化而调整，能够在不同应用场景中保持良好的放大性能。
　　此外，PMV65XP/MIR的最高工作频率（fT）为100MHz，适用于高频信号放大和处理，适合用于射频前端电路和低噪声前置放大器。其噪声系数为2dB左右，具有较低的噪声性能，有助于提高信号链的信噪比。该晶体管采用SOT-89封装，具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，适合工业级应用。
　　该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，适应广泛的环境条件，可用于工业控制、汽车电子和通信设备等严苛应用。其300mW的功率耗散能力使其能够在较高的工作温度下保持稳定运行，同时支持表面贴装工艺，便于自动化生产和小型化设计。

PMV65XP/MIR适用于多种电子电路设计，广泛用于射频放大、低噪声前置放大、功率开关、信号缓冲和模拟开关等场景。在通信设备中，该晶体管常用于低噪声放大器（LNA）和中频放大器，以提升信号质量和系统灵敏度。在工业控制系统中，它可以作为驱动级晶体管，用于控制继电器、LED显示屏和传感器模块。此外，该器件也适用于消费类电子产品，如音频放大器、无线遥控器和智能家电控制电路。
　　由于其高频特性和低噪声系数，PMV65XP/MIR也常用于无线通信模块中的射频前端电路，如Wi-Fi、蓝牙和Zigbee设备中的信号放大。在汽车电子系统中，该晶体管可用于车载音响、仪表盘控制和车载通信模块。由于其SOT-89封装体积小巧，适合空间受限的应用，如便携式设备和嵌入式系统。此外，该晶体管还可用于低功耗传感器接口电路，以提高系统的响应速度和精度。

BCX70K、PN2222A、MMBT3904、2N3904、BFQ59