时间：2025/6/17 5:19:26
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FN21N1R0B500PAG 是一款基于硅技术的 N 沛型功率 MOSFET，主要应用于高效率开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等场景。该器件采用了先进的制造工艺，在导通电阻、开关速度和热性能等方面表现出色，能够显著提升系统的整体效率和可靠性。
其封装形式为标准 TO-247，具备良好的散热特性和电气稳定性，适用于需要大电流和高电压操作的应用环境。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：6A
导通电阻：1.1Ω
栅极电荷：38nC
输入电容：1050pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
FN21N1R0B500PAG 的主要特点包括：
1. 极低的导通电阻（典型值为 1.1Ω），有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关特性，具有较小的栅极电荷，可有效减少开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 内置反向恢复二极管，优化了续流路径，特别适合于同步整流应用。
5. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
6. 工作温度范围宽广（-55℃ 至 +175℃），适应各种恶劣环境。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC 转换器，例如降压或升压转换器。
3. 电机驱动电路，尤其是中小功率直流电机控制。
4. 可再生能源设备，如太阳能微逆变器。
5. 各种工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 电动车充电器以及其他需要高效功率转换的应用场景。
IRFP250N, STP50NF06L
