VT1155MFQX 时间：2025/8/21 8:26:38 阅读：20

VT1155MFQX 是 Vishay 公司推出的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻和高功率处理能力。这款器件广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及马达控制等高效率功率系统中。VT1155MFQX 采用紧凑型 PowerPAK 封装，具备优异的热管理和电气性能，适合在需要高效能和小尺寸设计的现代电子设备中使用。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：6.3A
　　导通电阻（Rds(on)）：26mΩ（@ Vgs = 10V）
　　功率耗散（Pd）：2.8W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8

特性

VT1155MFQX MOSFET 的主要特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用了 Vishay 先进的沟槽式 MOSFET 技术，使得在有限的封装尺寸下实现更高的电流处理能力。
　　此外，VT1155MFQX 的栅极驱动电压范围较宽（支持 4.5V 至 20V），使其兼容多种驱动电路，包括低压控制器。其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高高频应用中的性能。
　　该 MOSFET 还具有良好的热稳定性，PowerPAK 封装提供了优异的散热性能，能够在高负载条件下保持较低的工作温度。这种特性使其适用于紧凑型设计，例如便携式设备和嵌入式系统。
　　VT1155MFQX 在短路和过载条件下表现出良好的鲁棒性，能够承受一定的瞬态应力，提高了系统的可靠性和耐用性。此外，其封装设计符合 RoHS 环保标准，适用于无铅生产工艺。

应用

VT1155MFQX 广泛应用于多种功率电子系统中，包括同步整流 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、马达驱动电路以及工业自动化控制系统。在同步整流器中，VT1155MFQX 可作为高效能的上桥或下桥开关，显著降低导通损耗并提升转换效率。
　　在电池供电设备中，该 MOSFET 常用于电源管理模块，作为负载开关或反向电流保护元件，帮助延长电池寿命并提高系统能效。
　　此外，VT1155MFQX 也适用于需要高电流切换能力的电机控制应用，例如无人机、机器人和电动工具中的马达驱动电路。
　　在工业控制领域，VT1155MFQX 可用于 PLC（可编程逻辑控制器）的输出模块、继电器替代方案以及各种高可靠性开关电路中。