H9HKNNNFBUMUBR-NMH 是SK hynix公司生产的一种高性能DRAM(动态随机存取存储器)芯片的型号。这款芯片主要用于需要高速数据处理的应用场景,例如智能手机、平板电脑、嵌入式系统以及便携式电子设备等。H9HKNNNFBUMUBR-NMH属于LPDDR4(低功耗双倍数据速率第4代)系列的内存芯片,具有高带宽、低功耗和紧凑封装的特点,非常适合现代移动设备的需求。
容量:8Gb
类型:LPDDR4 SDRAM
封装类型:BGA(球栅阵列封装)
电压:1.1V(核心电压)/ 1.8V(I/O电压)
数据速率:3200Mbps
数据总线宽度:x16
工作温度范围:-40°C至85°C
H9HKNNNFBUMUBR-NMH 是一款高性能的LPDDR4 SDRAM芯片,具有以下显著特性:
1. **高数据速率**:该芯片支持高达3200Mbps的数据传输速率,显著提升了系统性能,适用于高性能计算和图形处理应用。
2. **低功耗设计**:作为LPDDR4标准的一部分,该芯片采用了先进的低功耗技术,能够在保持高性能的同时减少电力消耗,延长移动设备的电池续航时间。
3. **紧凑封装**:该芯片采用BGA封装,体积小巧,适合现代便携式设备对空间的严格要求。
4. **多Bank架构**:支持多Bank并发操作,提高了内存访问效率,降低了延迟。
5. **温度适应性强**:工作温度范围为-40°C至85°C,确保在各种环境条件下都能稳定运行。
6. **自动刷新和自刷新功能**:芯片内置自动刷新机制,确保数据的完整性,同时自刷新功能在设备休眠时可进一步降低功耗。
H9HKNNNFBUMUBR-NMH 主要应用于需要高性能和低功耗内存的设备,如:
? 智能手机和平板电脑
? 高端嵌入式系统
? 移动计算设备
? 图形处理单元(GPU)和多媒体设备
? 高性能计算模块
H9HKNNNFBUMUBR-NMH 的替代型号包括H9HKNNNFBUMUBR-NEC和H9HKNNNFBUMUBR-NEM。这些型号同样属于SK hynix的LPDDR4系列,具有相似的性能参数和封装形式,可以在设计兼容的情况下互换使用。