PMV27UPER 时间：2025/9/15 0:14:15 阅读：12

PMV27UPER是一款由Nexperia（安世半导体）生产的高性能P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器以及电池供电设备中。该器件采用先进的Trench MOSFET技术，提供低导通电阻（RDS(on)），从而降低导通损耗并提高系统效率。PMV27UPER封装为SOT23（SMD封装），适用于高密度和小型化设计。

参数

类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-5.6A（在VGS = -4.5V）
　　导通电阻（RDS(on)）：< 27mΩ（在VGS = -4.5V）
　　导通电阻（RDS(on)）：< 36mΩ（在VGS = -2.5V）
　　栅极电荷（Qg）：8.7nC（在VGS = -10V）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT23

特性

PMV27UPER具备多项先进特性，适合高效率电源应用。
　　首先，该MOSFET具有极低的导通电阻（RDS(on)），在VGS = -4.5V时可低至27mΩ，从而显著降低导通损耗，提高能效，尤其适用于高电流负载的应用场景。
　　其次，该器件支持高达-5.6A的连续漏极电流，适用于中高功率负载开关或DC-DC转换器的设计。同时，其栅极驱动电压范围较宽，支持-2.5V至-10V的栅极电压，适应多种控制电路需求，包括由低电压MCU或电源管理IC（PMIC）驱动的应用。
　　此外，PMV27UPER采用SOT23封装，体积小巧，适合在空间受限的便携式电子设备中使用，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和工业控制设备。该封装还具有良好的热性能，确保在高功率密度应用中稳定运行。
　　安全性方面，PMV27UPER具有较高的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压条件下提供更好的可靠性。其工作温度范围为-55°C至150°C，适用于严苛的工业环境和车载应用。
　　最后，该器件符合RoHS标准，无卤素，符合现代电子产品对环保和可持续发展的要求。

应用

PMV27UPER适用于多种电源管理和功率控制应用。常见应用包括负载开关、同步整流器、DC-DC转换器、电池管理系统、热插拔电源控制、工业自动化设备以及便携式电子产品中的功率开关控制。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件特别适合用于需要高效能和低功耗设计的电源转换系统。此外，其SOT23封装形式也使其成为空间受限设计的理想选择，如手持设备和嵌入式系统的电源管理模块。