您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > DMN4031SSD-13

DMN4031SSD-13 发布时间 时间:2025/5/21 23:56:01 查看 阅读:5

DMN4031SSD-13是一款由Diodes公司生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用小尺寸SOT23封装,具有低导通电阻和快速开关特性,适合应用于便携式设备、电池供电产品以及各类电源管理电路中。
  该器件为N沟道增强型MOSFET,适用于信号切换、负载开关和同步整流等应用。其出色的性能和紧凑的封装使其成为高密度设计的理想选择。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:3.9A
  导通电阻(典型值):0.18Ω
  总功耗:750mW
  工作结温范围:-55℃至175℃

特性

DMN4031SSD-13的主要特点是其低导通电阻和紧凑的SOT23封装,这使得它能够在小型化设计中提供高效的功率传输。同时,该器件具有较高的漏源电压和较低的栅极电荷,从而实现了更快的开关速度和更少的能量损耗。
  此外,这款MOSFET支持高达175℃的工作结温,能够适应各种恶劣环境下的应用需求。它的静态和动态特性都经过优化,以确保在高频开关应用中的卓越表现。
  该器件还具备优异的热稳定性和抗浪涌能力,非常适合用于需要高可靠性的电子系统中。

应用

DMN4031SSD-13广泛应用于消费类电子产品、通信设备以及工业控制领域。具体应用包括:
  1. 手机和平板电脑中的电源管理
  2. USB端口保护及负载开关
  3. 同步整流器设计
  4. LED驱动电路
  5. 电池管理系统中的充放电控制
  6. 便携式设备中的信号切换功能
  7. 电机驱动和音频放大器中的开关元件

替代型号

DMN4031SDD-13, DMN4031LSD-13

DMN4031SSD-13推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

DMN4031SSD-13参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C31 毫欧 @ 6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs18.6nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds945pF @ 20V
  • 功率 - 最大1.42W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DMN4031SSD-13DITR